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lsle01

铁虫 (小有名气)

[交流] 一般掺杂后晶粒尺寸会改变多少呢?已有7人参与

本征的晶粒尺寸是32nm,掺杂后变成41nm,不知道算不算正常,而且几个不同的掺杂量晶粒尺寸都差不多是41nm
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floljf

金虫 (正式写手)

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chemlh: 金币+1, 欢迎积极交流 2012-11-17 08:48:59
晶粒尺寸跟掺杂没有必然关系了,掺杂影响的是晶格常数,几个纳米数量级得,晶粒尺寸跟你的制备条件或者制备后的处理方式有关,当然如果是外延的话,还有衬底的问题。
2楼2012-11-17 08:29:00
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fangyong1788

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★
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chemlh: 金币+1, 欢迎积极交流 2012-11-17 08:49:09
晶粒大小主要是跟你的退火时间还有制备工艺有关,与掺杂关系不大。
3楼2012-11-17 08:38:06
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钦点木瓜

金虫 (著名写手)

★ ★
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蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-17 15:33:23
掺杂后晶粒尺寸的改变,主要是要看你掺杂进去的 原子是不是对晶格产生影响。比如说,有的半径比较小的原子进去晶格里,是呆在四面体或者八面体的中心,基本不会影响晶格尺寸,如果是呆在空位里面,也不会影响。有的半径较大的原子,形成间隙原子的话,或者占据空位的话,会影响晶格尺寸。所以,主要是要看掺杂原子的半径已经所呆位置是不是会对晶格产生影响。一般,掺杂少量的话,影响不会很大的。
用绳命来搞科研
4楼2012-11-17 14:41:04
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

★ ★
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chemlh: 金币+1, 欢迎积极交流 2012-11-18 09:01:09
总的来说,掺杂对晶体的生长影响非常大,掺杂可以抑制晶体生长,同时也可促进晶体的长大。

从晶体结构角度来讲,掺杂会引入缺陷,缺陷可以抑制,也可促进晶体生长。
从晶体生长角度来讲,引入新的组分,可能产生低熔点的化合物,促进离子扩散速度,导致晶体长大,另外,低的固溶度,导致掺杂物堆积在晶界处,晶体长大就被限制。
5楼2012-11-18 00:15:26
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floljf

金虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by caoxiafei at 2012-11-18 00:15:26
总的来说,掺杂对晶体的生长影响非常大,掺杂可以抑制晶体生长,同时也可促进晶体的长大。

从晶体结构角度来讲,掺杂会引入缺陷,缺陷可以抑制,也可促进晶体生长。
从晶体生长角度来讲,引入新的组分,可能产生 ...

你这个说的是块材的问题吧, 你是做陶瓷的吗?楼主针对的应该是薄膜的吧,粒径才几十个纳米的
6楼2012-11-18 10:50:22
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
原理不相通吗?低熔点的材料晶体容易异常长大,对于薄膜和块体都一样的
薄膜有衬底界面能的影响,如果厚膜200nm,单个晶粒25nm能不能把这种膜当做块体来分析啊?
7楼2012-11-18 22:41:52
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zhengwei7198

铁杆木虫 (正式写手)


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做纳米的影响因素很多,做过的都知道,反应条件,当然包括掺杂。。。不同体系也不一样,我就遇过相同条件下,10%价态与离子半径相近的金属掺杂,引起尺寸的大变化,比如从6 nm到30 nm。
早起的虫子不被鸟吃~!
8楼2012-11-18 23:03:35
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狼の桃子

金虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by caoxiafei at 2012-11-18 00:15:26
总的来说,掺杂对晶体的生长影响非常大,掺杂可以抑制晶体生长,同时也可促进晶体的长大。

从晶体结构角度来讲,掺杂会引入缺陷,缺陷可以抑制,也可促进晶体生长。
从晶体生长角度来讲,引入新的组分,可能产生 ...

之前做过一段时间ZnO薄膜,我感觉是这样的。
9楼2012-11-19 16:40:17
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dniw

木虫之王 (文坛精英)

文献杰出贡献


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
楼主这个问题就有点模糊不清。掺杂是肯定会影响晶粒的生长的。影响晶粒尺寸的原因有很多,并不能简单的说是不是因为掺杂引起的。除去4楼说的,杂质如果容易自成相,或者说与材料的原始组分成新相的话,新相在界面处也可能会影响晶体的成长。
10楼2013-06-20 12:17:48
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