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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » MS castep计算GaAs得出带隙和文献相差很多，各参数已贴出，求大神指明原因
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andy101199

银虫 (正式写手)

[求助] MS castep计算GaAs得出带隙和文献相差很多，各参数已贴出，求大神指明原因

MS castep计算GaAs得出带隙和文献相差很多，各参数已贴出，求大神指明原因
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1楼 2012-11-02 09:41:26
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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2012-11-03 13:21:26
对半导体而言 局域密度近似 和 广义梯度近似 的计算结果差别很大
没有具体算过 细节不清楚
赞一下 回复此楼
sunyu730_emuch@126.com
15楼2012-11-03 11:22:27
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查看全部 21 个回答

安德

铁杆木虫 (著名写手)

** *_** ___ ***_ * _*

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流， 2012-11-05 14:45:20
会不会是截断能的原因？
赞一下 回复此楼
That'sit! Justdoit!
2楼2012-11-02 09:52:50
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andy101199

银虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 安德 at 2012-11-02 09:52:50
会不会是截断能的原因？

截断能我用文献中的295也算过   但是带隙还是Eg=0.15左右, 和0.6相差很远
赞一下 回复此楼
3楼2012-11-02 09:54:29
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安德

铁杆木虫 (著名写手)

** *_** ___ ***_ * _*

【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-11-03 13:20:44
你再试试k点的调节
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That'sit! Justdoit!
4楼2012-11-02 09:58:34
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