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为什么高掺杂的PN结耗尽层宽度很窄,低掺杂的PN结耗尽层宽度很宽? [ 发自手机版 https://muchong.com/3g ] |
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【答案】应助回帖
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枫的依恋: 金币+3, 博学EPI+1, ★有帮助 2012-11-02 09:59:55
枫的依恋: 金币+3, 博学EPI+1, ★有帮助 2012-11-02 09:59:55
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这实际上属于《半导体物理》书上所讲的内容,楼主可以查阅一下。 因为在耗尽层近似下可认为p-n结中的空间电荷就是电离杂质中心的电荷,则当掺杂浓度较高时,所需要的耗尽层厚度就较窄,其中的电荷就足以产生平衡扩散作用的内建电场。相反,掺杂浓度较低时,就需要较宽的耗尽层。但是耗尽层厚度与掺杂浓度之间并非简单的反比关系(对于突变结,是平方根的反比关系;对于线性缓变结,是立方根的反比关系)。 https://diary.51.com/item/dazuizui1981/diary/10057843.html |

3楼2012-11-02 08:35:33
2楼2012-11-02 06:47:01











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