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在10K——300K之间薄膜电阻率逐渐下降，求怎么解释！！有图。
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我做的钽摻杂二氧化钛薄膜，用的PLD法，改变的是沉积时氧气压。研究薄膜在低温下的电阻率变化，从而得出其导电机制。图形如下。我已经用涨落隧穿效应（fluctuation induced tunneling)(公式：ρ（T)=B*exp(T1/(T+T0)) ) 以及跳跃导电机制(hopping conduction mechanism)(公式：ρ(T)=a*exp【(b/T)的1/n次方】，拟合过了，都不能和实验数据吻合。 请问还有其他哪些机制（附上公式）可以解释这种负的电阻率温度系数！！！急！！ 最好再帮我分析一下这个图形，谢谢！！！  变温下电阻率.jpg [ Last edited by xj170701059 on 2012-11-7 at 14:54 ] |
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