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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 霍尔效应测试
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chayfei

金虫 (正式写手)

[求助] 霍尔效应测试

在低阻Si片上制备得到了一层半导体纳米结构的薄膜，现在想测载流子浓度和迁移率，不知道怎么测，是直接测，还是测了之后要减去Si的数据来得到最终的数据，Si是否会对样品的迁移率和载流子浓度有影响？
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1楼 2012-10-30 22:09:15
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pll18

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
有专门的仪器，我做的半导体薄膜用Lake-shore's 7704 Hall system测的，在硅片上规划出一块1平方厘米的面积，正方形四个角贴上特别小的铟粒，测出来的数据直接用。
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┭┮﹏┭┮在小木虫里学习
2楼2012-10-31 08:39:20
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chayfei

金虫 (正式写手)
你好！谢谢你的回复，我们这边是用PPMS这台设备测得，不用考虑Si片的影响吗？
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3楼2012-10-31 12:05:44
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