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碳/硅复合物TG测试
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李晓敬
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碳/硅复合物TG测试
想问下大家,碳/硅复合物,想测得其中碳含量,做TG测试时,应该在什么温度下,什么氛围中?(其中硅为纳米级的,大概几十纳米的样子,如果在空气中它应该是很容易被氧化的吧,不知具体温度)
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1楼
2012-10-29 10:07:37
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李晓敬
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专业: 电化学
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4楼
:
Originally posted by
风之子:我
at 2012-10-29 10:42:30
楼主所说的碳/硅复合物应该不是碳单质和晶体硅的复合物吧?其实晶体硅是很容易氧化的,除了一些特殊用途外大多使用的是硅化合物。如果是这样的话二楼的方法是可行的。
是热解碳和晶体硅,并且经过热处理的。也不知道在热处理过程中硅变成氧化物了没,不知道它被氧化的温度。请问几十纳米的硅大概在多少度就被氧化了呢?如果是变成硅氧化物了,还能用二楼说的那种测吗?
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6楼
2012-10-29 10:54:54
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2012-10-30 21:39:19
Si在空气里,室温下都能被氧化
你可以直接加氧气
将C全部烧除,应该在500度以上,这时候Si应该全部被氧化了
然后再计算Si的量是多少,就可以得出C的量了
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2楼
2012-10-29 10:14:57
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chenghu
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专业: 电化学
【答案】应助回帖
想测碳含量的话,直接用碳硫测试仪即可
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3楼
2012-10-29 10:24:32
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【答案】应助回帖
楼主所说的碳/硅复合物应该不是碳单质和晶体硅的复合物吧?其实晶体硅是很容易氧化的,除了一些特殊用途外大多使用的是硅化合物。如果是这样的话二楼的方法是可行的。
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4楼
2012-10-29 10:42:30
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