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请问晶体硅会由于离子注入的损伤而在PN结界面产生界面态么？
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| 实验室制备的硅PIN光电探测器（5E-11衬底）进行电容-频率测试的时候，发现低频和高频的电容变化很大（超过一个数量级），不知道如何解释曲线，怀疑是离子注入的时候形成的损伤造成的界面态产生的，但是查文章没有发现有提及关于同质PN结关于界面态的讨论，究竟晶体硅会由于离子注入的损伤而在PN结界面产生界面态么？ |
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2楼2012-10-28 21:44:55
