| 查看: 543 | 回复: 1 | ||
[求助]
请问晶体硅会由于离子注入的损伤而在PN结界面产生界面态么？
|
| 实验室制备的硅PIN光电探测器（5E-11衬底）进行电容-频率测试的时候，发现低频和高频的电容变化很大（超过一个数量级），不知道如何解释曲线，怀疑是离子注入的时候形成的损伤造成的界面态产生的，但是查文章没有发现有提及关于同质PN结关于界面态的讨论，究竟晶体硅会由于离子注入的损伤而在PN结界面产生界面态么？ |
回复此楼» 猜你喜欢
材料366，求211调剂
已经有2人回复
-
博士招生 | 青岛科技大学（高分子、化学、材料、力学、机电工程、计算机仿真）
已经有30人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有114人回复
-
求调剂推荐 材料 304
已经有21人回复
-
Bi离子和稀土离子共掺杂 随稀土掺杂增加，稀土发射峰增强，这样是能量传递了吗？
已经有0人回复
-
296材料专硕求调剂
已经有22人回复
-
锂优电池测试仪如何实现电池性能检测的精准性与可靠性
已经有0人回复
-
博士招生 | 青岛科技大学（高分子、化学、材料、力学、航天、机电工程、计算机仿真）
已经有15人回复
-
求助CuTeS化合物的cif文件
已经有2人回复
-
锂电池静置工艺中，锂优静置箱如何确保电芯性能稳定
已经有0人回复
-
锂优点焊机如何实现稳定可靠焊接原理
已经有0人回复
wbcui
至尊木虫 (知名作家)
- MEPI: 1
- 应助: 221 (大学生)
- 贵宾: 0.349
- 金币: 16296.6
- 散金: 359
- 红花: 73
- 帖子: 8321
- 在线: 919小时
- 虫号: 543804
- 注册: 2008-04-11
- 专业: 金属功能材料
2楼2012-10-28 21:44:55
10