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In2O3纳米颗粒如何做到小颗粒1-3nm左右??? [ 来自科研家族 材料家族 ] |
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调剂来这
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3楼2012-10-25 16:36:19
8楼2012-10-25 20:17:18
9楼2012-10-26 07:50:47
11楼2012-10-26 14:22:46
13楼2012-10-26 15:25:46
★
gsyangying(金币+1): 谢谢参与
gsyangying(金币+1): 谢谢参与
从日本三井、日矿、东曹等ITO靶材专利和有关资料综合分析,ITO粉和靶材关键是应用在液晶电视中透明电极,现阶段纳米ITO粉制备出烧结密度大于99.5以上的靶材,只要在磁控溅射中不结瘤(靶材中的杂质元素与氧结合的富集物)或少结瘤,就达到制备透明电极的主要目的。但最新是资讯是:日本夏普已经推出IGZO-TFT(氧化铟镓锌)薄膜晶体管液晶显示器应用在ipad mini上. IBM、惠普等已经将石墨烯替代ITO电极应用在全新的iphe产品上~~~~ http://www.fpdisplay.com/news/2012-10/info-152806-619.htm 美国IBM的研究人员宣布,已制作出采用碳材料——单层石墨烯作为透明电极的OLED元件,并获得了与采用ITO时几乎相同的发光特性。这一消息是在OLED技术研讨会"OLEDs World Summit 2012"(美国旧金山市,2012年9月26~28日)上发布的。此前IBM的石墨烯开发产品以晶体管等微小主动元件为主,此次是首次公开采用大面积石墨烯作为电极的开发实例。 该OLED元件由IBM公司T.J.Watson研究中心的科技研究员Ning Li制作。采用单层石墨烯作为透明电极的理由有以下两点:(1)与ITO不同,具有柔性且耐弯曲;(2)材料费便宜,将来的制作成本可能远远低于ITO。 此次是将采用化学气相沉积(CVD)法在铜箔上合成的单层石墨烯转印至玻璃基板或柔性树脂基板上,制成的OLED元件。元件构造的特点是,透明电极采用石墨烯,在空穴运输层(HTL)与石墨烯之间设置了"界面层"。 此次分别制作出了采用玻璃基板和柔性基板的、绿色发光OLED元件和白色发光OLED元件。利用转印到玻璃基板上的石墨烯制作的OLED元件的电流发光效率方面,绿色元件达到了80cd/A(亮度为2000cd/m2),白色元件达到了45cd/A(亮度为3000cd/m2)。均高于此前透明电极采用碳纳米管及多层石墨烯制作的OLED元件。 性能与采用玻璃基板和ITO时同等 外量子效率(EQE)方面,绿色发光元件为20.5~20.7%(2000cd/m2),白色发光元件为17%(3000cd/m2)、15%(1万cd/m2)。这些数值低于最近改进了光提取技术的高效率OLED元件。但改变亮度时的EQE及光谱方面,即便是使用转印到柔性基板上的石墨烯,与采用玻璃基板和ITO制作的OLED元件相比,基本没有差别。Li Ning介绍说,白色发光元件的显色指数(CRI,color rendering index)"高达85"。 据Li介绍,此次制作的元件的关键点在于:(1)通过在涂布工艺向石墨烯中掺杂分子材料,在提高导电性的同时,还实现了工作函数控制并提高了向有机层注入空穴的性能;(2)通过设置界面层,降低了石墨烯与有机层的接触电阻。 作为透明电极,单层石墨烯本身的性能方面,Li Ning表示,"光透射率达到97%。尽管薄膜电阻值偏高,较低的也有数百Ω/□,但可以通过优化掺杂剂等措施来降低该数值",目前存在的课题是,掺杂效果会随着时间的流逝而降低。 |
19楼2012-10-28 14:28:03
20楼2012-10-29 16:37:08
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25楼2012-11-07 20:05:18
简单回复
chenghu2楼
2012-10-25 16:16
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gsyangying(金币+1): 谢谢参与
顶
2012-10-25 17:00
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chemlh5楼
2012-10-25 18:58
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2012-10-25 19:28
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hxp28007楼
2012-10-25 19:46
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wu100810楼
2012-10-26 14:20
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品诗十四行12楼
2012-10-26 14:54
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woai82014楼
2012-10-26 15:34
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ll999915楼
2012-10-26 16:00
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笃学明志16楼
2012-10-27 00:34
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chemlh17楼
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yingying158818楼
2012-10-27 22:15
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2012-10-29 20:01
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2012-11-22 15:33
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gsyangying27楼
2013-10-30 14:25
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xiejf28楼
2013-11-05 21:45
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从日本三井、日矿、东曹等ITO靶材专利和有关资料综合分析,ITO粉和靶材关键是应用在液晶电视中透明电极,现阶段纳米ITO粉制备出烧结密度大于99.5以上的靶材,只要在磁控溅射中不结瘤(靶材中的杂质元素与氧结合的富集物)或少结瘤,就达到制备透明电极的主要目的。