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北溟之鱼580

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[求助] 表面等离激元和量子阱耦合，如何影响发光峰位？

InGaN/GaN 量子阱 LED 在p-GaN上面镀Ag, 等离激元和量子阱耦合提高IQE的同时，对峰位有什么影响，是什么因素引起的? 了解的朋友请说一下，或是介绍篇文献，谢谢。

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1楼 2012-10-23 15:48:59

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loics

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建议楼主参考这篇文章Surface-plasmon-enhanced light emitters based on InGaN quantum wells，里面做了几种金属的结果~要是下不到可pm我~

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2楼2012-10-23 16:32:33

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北溟之鱼580

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2楼: Originally posted by loics at 2012-10-23 16:32:33
建议楼主参考这篇文章Surface-plasmon-enhanced light emitters based on InGaN quantum wells，里面做了几种金属的结果~要是下不到可pm我~

谢谢，我看过这篇文章，但里面没有谈到等离激元对发光峰位的影响。

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3楼2012-10-23 17:11:53

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loics

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3楼: Originally posted by 北溟之鱼580 at 2012-10-23 17:11:53
谢谢，我看过这篇文章，但里面没有谈到等离激元对发光峰位的影响。...

记得原来看过又文献粗略的谈过这个，不过现在一下子没找到那篇文献

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4楼2012-10-23 17:44:08

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