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为什么SiO2包覆CdTe后会使CdTe的荧光强度降低
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| 为什么SiO2包覆CdTe后会使CdTe的荧光强度降低 |
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2楼2012-10-18 11:46:58
8楼2012-10-18 16:07:12
10楼2012-10-18 18:19:38
dut_ameng
专家顾问 (知名作家)
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11楼2012-10-18 18:25:28
12楼2012-10-18 18:58:58
13楼2012-10-18 20:26:33
14楼2012-10-18 21:38:39
15楼2012-10-18 22:30:11
16楼2012-10-19 08:45:45
17楼2012-10-19 09:32:23
18楼2012-10-19 09:55:36
strive123123
禁虫 (文坛精英)
★
aiwukai(金币+1): 谢谢参与
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19楼2012-10-19 10:58:46
20楼2012-10-19 18:46:31
★
aiwukai(金币+1): 谢谢参与
aiwukai(金币+1): 谢谢参与
| 我也是做硅包覆CdTe（水相合成）的，关于楼主的问题我认为是这样：在你包覆过程中，部分配体脱落，这是造成荧光强度下降的主要因素，另外就是可能最后包覆结果也不理想，综合导致量子点的荧光强度下降。可以尝试一下缩短反应时间来试试！最好是用TEM表征一下。这是我的邮箱：bnusysj@163.com，可以交流下！ |
21楼2012-10-25 10:36:57
22楼2012-10-25 15:52:06
23楼2012-10-25 18:13:11
25楼2012-12-12 15:39:14
26楼2012-12-13 17:33:59
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2012-10-18 12:01
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aiwukai(金币+1): 谢谢参与
rao9724楼
2012-10-18 12:21
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aiwukai(金币+1): 谢谢参与
2012-10-18 15:42
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aiwukai(金币+1): 谢谢参与
chenghu6楼
2012-10-18 15:51
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aiwukai(金币+1): 谢谢参与
顶
2012-10-18 15:55
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aiwukai(金币+1): 谢谢参与
Phageous9楼
2012-10-18 16:58
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zhaohuiwudi24楼
2012-10-25 19:58
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liyang61773027楼
2012-12-21 10:43
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