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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 请求高人解释“反相畴边界”。
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scream

银虫 (小有名气)

[求助] 请求高人解释“反相畴边界”。

请求高人解释在铁电薄膜与miscut基底界面处的反相畴边界(antiphase domain boundary)。
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1楼 2012-10-10 20:52:02
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diwunju

铁杆木虫 (正式写手)
chemlh: 欢迎积极交流 2012-10-11 08:28:38
我就这么简单的想想觉得反相畴和铁电畴没必然关系，也许我想的不对。

对性能的影响，我不做这个，不是很清楚，但是记得反相畴好像对疲劳有什么影响的。你查查10多年前Y. Ding，或者D. Su的文章。
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4楼2012-10-11 08:20:54
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diwunju

铁杆木虫 (正式写手)
★
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-10-11 07:54:09
antiphase boundary不一定要铁电薄膜的，外延薄膜都有可能。衬底表面台阶的高度（这是由miscut决定的）不是晶胞参数的整数倍时，外延薄膜里就会有反相畴，从台阶处一直到表面。
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2楼2012-10-10 21:17:57
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scream

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by diwunju at 2012-10-10 21:17:57
antiphase boundary不一定要铁电薄膜的，外延薄膜都有可能。衬底表面台阶的高度（这是由miscut决定的）不是晶胞参数的整数倍时，外延薄膜里就会有反相畴，从台阶处一直到表面。

我想继续请问您，这一反相畴边界是一种怎样的形态（与铁电中的电畴有关系吗？），对薄膜性能有何影响？
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3楼2012-10-10 21:28:35
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scream

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by diwunju at 2012-10-11 08:20:54
我就这么简单的想想觉得反相畴和铁电畴没必然关系，也许我想的不对。

对性能的影响，我不做这个，不是很清楚，但是记得反相畴好像对疲劳有什么影响的。你查查10多年前Y. Ding，或者D. Su的文章。

非常感谢~
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5楼2012-10-11 09:32:10
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