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对牺牲剂和能级结构改变的问题 救命啊！！！
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文章介绍通过控制材料的能带结构 引入硫 氮等使带隙小于3eV从而实现对可见光的利用。 1：在图四中钽酸钠 钛酸锶 二氧化钛 三氧化钨 都含有氧 它们的价带几乎都在一条线上 文章说价带的顶端主要是由氧2P轨道组成 上方的导带底部主要是过渡金属的d轨道组成 为什么会有这样的分子轨道组成呢？ 是由于氧有孤对电子 过渡金属有空轨道么？还有其他的组成金属离子对分子轨道的影响体现在哪呢？如钽酸钠中的钠 钛酸锶中的锶。 2：在蓝色标记处 文章上写 impurity levels created by dopants in the forbidden band of the material are usually discrete, which would appear disadvantageous for the migration of photogenerated holes. 不纯水平的掺杂会导致禁带的不连续性 给载流子的迁移带来不利的影响 什么是禁带的不连续性 能带来怎样的不利影响？ 3：蓝色标记处 写到In contrast, (oxy)nitrides and oxysulfides contain N or S as constituent elements that form the tops of the valence band.Thus, photogenerated holes can migrate smoothly in the valence band of the material, 为什么N S组成价带的顶部 载流子就可以平滑迁移 从而对水的四电子转移氧化有利？ 4：蓝色标记处 介绍了用牺牲剂来促进水的分解，不应该是在电子或空穴没有能力氧化或分解水的情况下才用牺牲剂么？如果可以完整的分解水而使用牺牲剂，也会对水分解有促进作用？为什么？ 5：像钽酸钠这样的物质 禁带宽度大于3eV 只对紫外光响应 如果要使其对可见光响应就要减小它的禁带宽度 这会不会对电子和空穴分解水的能力产生影响呢？也就是说只要带位合适，禁带宽度是不是只要大于1.23eV并且足以克服液界电势产生反应就可以无限制的减小呢？[ Last edited by 钽酸钠 on 2012-10-7 at 17:04 ] |
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2012-10-04 17:07:14, 569.13 K
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