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lzn_t

木虫 (小有名气)

[求助] 怎样建立掺杂晶格的结构模型?

对晶格进行掺杂时,该怎样处理原子间的成键?比如:建立Si的超晶胞后,将其中的一个Si原子替换为Fe原子,这时,会不会出现少键或多键的情况?如果是将Fe改为其他原子呢?   同样,对于间隙掺杂,如果在Si晶格的某一间隙掺入一个Fe原子,这时是否出现新的键位?(如果这时点击Build/Bonds/Bond Calculation,会出现很多键位。)
敬请各路豪杰赐教, 在下不胜感谢!
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pengliusss

木虫 (小有名气)

引用回帖:
12楼: Originally posted by 季朋飞 at 2013-03-29 09:58:03
这个不影响啊,就是浓度不同。你要问的可能是有效吸附位。...

掺杂浓度一样吧。。。。symmetry system显示只有一个原子被替换。
这是有效的替换掺杂位(即这样的掺杂可以吗,是有效的吗,感觉别扭)
  谢谢了!!!
13楼2013-03-29 16:35:54
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57636672

木虫 (小有名气)

同问
看过前面不少做掺杂的,都是直接替换,然后几何优化,最后计算各种性能
2楼2012-09-26 11:29:32
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lzn_t

木虫 (小有名气)

坐等各路豪杰指教!
3楼2012-11-01 20:37:34
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digghost

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2013-03-30 08:30:06
把健删了,和带着健对计算能量影响不大的
呵呵了
4楼2012-11-01 22:59:25
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