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dashan_612木虫 (正式写手)
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[求助]
载流子的饱和漂移速度
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载流子的平均漂移速度随着电场的增大而增大，但当电场增大到一定程度是，载流子的漂移速度达到极限值。 为什么不能随电场一直增加 |
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qfw_68
版主 (文坛精英)
有尾巴的青蛙
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【答案】应助回帖
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dashan_612: 金币+10, 博学EPI+1, ★有帮助, 有更加通俗易懂的解释没 2012-09-22 11:12:17
dashan_612: 金币+10 2013-02-27 22:21:38
dashan_612: 金币+10, 博学EPI+1, ★有帮助, 有更加通俗易懂的解释没 2012-09-22 11:12:17
dashan_612: 金币+10 2013-02-27 22:21:38
| 在强电场时，电子将成为具有高能量的热电子——动能高于平均热运动能量kT的电子，致使载流子的漂移速度与电场的关系比较复杂。对n型GaAs等双能谷半导体，热电子将由有效质量较小（0.067m）的主能谷往有效质量较大（0.55m）的次能谷跃迁，则出现负电阻（此时迁移率由最大值开始下降）；在更强电场时，次能谷中高能量热电子还将与光学波声子散射而损失能量，致使漂移速度饱和（漂移速度vd 趋于热运动速度）。对于n-Si，因为导带不存在双能谷，所以热电子仅在主能谷中通过与光学波声子散射而损失能量，使漂移速度达到饱和（vs），则不出现负电阻。 |
2楼2012-09-22 07:18:47
10