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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 理论交流 » 禁带banggap变窄的原因是什么？
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爱泡温泉的猫

新虫 (初入文坛)

[求助] 禁带banggap变窄的原因是什么？

两种物质A和B混合，A的质量一定随着B的添加禁带带宽在变小。
请问怎么解释变小的原因。
紫外光谱是红移。计算上时符合变小的。
原因是什么？
请教大家给讲讲！！
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1楼2012-09-13 15:29:33
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mowenlongch

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
pzypdl: 金币+2, 谢谢回贴，欢迎常来！ 2012-10-03 14:02:27
首先，金属氧化物半导体导电的原因：电子导电和空穴导电；
其次，您说的B应该是一种杂质吧，对于p型半导体和n型半导体，其禁带宽度会因存在受主能级（杂质）和施主能级而导致禁带宽度变小。
例如：在本征半导体纯硅单晶中加入杂质磷和硼可生成n型半导体和p型半导体：硅单晶的禁带宽度为1.1ev，而施主杂质产生的施主能级与空带之间的宽度为0.044ev；硼产生的受主能级与满带之间宽度为0.045ev，可见n型和p型半导体是很容易导电的。
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生生不息，奋斗不止，虚而有节，临危不乱。
4楼2012-10-03 11:59:52
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爱泡温泉的猫

新虫 (初入文坛)
就没人知道吗
还是我发错版块了
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2楼2012-09-14 13:28:12
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王晓萌

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by mowenlongch at 2012-10-03 11:59:52
首先，金属氧化物半导体导电的原因：电子导电和空穴导电；
其次，您说的B应该是一种杂质吧，对于p型半导体和n型半导体，其禁带宽度会因存在受主能级（杂质）和施主能级而导致禁带宽度变小。
例如：在本征半导体纯 ...

个人觉得楼上说的应该算是一种掺杂吧。对于两种半导体材料，两者的复合也会导致混合物禁带宽度的变小。这个应该很好理解的。根据能带位置画的那个阶梯图，可以很好的理解。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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学习科研，学习学习的能力。
5楼2012-10-04 09:46:23
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