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chl5063木虫 (著名写手)
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制造纳米紫外线LED 的新技术
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美国国家标准与技术研究所（NIST）的研究人员与马里兰大学和霍华德大学的科学家合作，开发出一种利用纳米线制作微型高效发光二极管（LED）的技术。利用新技术制成的LED 发射紫外光——对于包括数据存储在内的许多纳光技术来说这是一个非常关键的波长范围，而且组装技术也非常适于大规模商业化生产。 LED 等光纳米器件是新一代超致密、低成本技术的重要的基本成分，包括传感器和光通信设备等。对于数据存储和生物传感器件来说，紫外线LED 尤其重要。由含有氮化铝、氮化镓、氮化铟等成分的特殊类型的半导体制成的纳米线是最有前景的纳米LED 材料。不过目前纳米线LED 都是单个制作，不利于商业化。 NIST 研究小组使用了批量生产技术，例如光刻、湿蚀刻和金属沉积等。他们利用电场排列纳米线，避免了单独排列每条纳米线这一精细耗时的任务。新型纳米LED 的一个关键特征是它们由氮化镓（GaN）单一化合物制成。每个LED 中，一个“N 型”GaN 纳米线置放于一个“P 型”GaN 薄膜表面上。与利用多种化合物制成的PN 结相比，利用同一种化合物制成的PN 结可以制作出更加高效的LED，从而可以在较低能量水平下工作。 当给PN 结施加适当的电压后，LED 可以发射出最长波长为365nm 的光，正好处于紫外光范围。研究小组制作和测试了40 多种这样的LED。它们显示出非常相似的发射特征，而且也都展现出良好的运行稳定性和热稳定性——可以承受高达750℃的高温，甚至在室温条件下连续工作两小时后也没有任何退化的迹象。这些特征表明LED 新制造技术可以生产出可靠稳定的器件。研究人员提到，他们的方法可以用于其它纳米线结构的制作，以及需要大面积纳米光源的应用。 译自http://www.sciencedaily.com/rele ... ....70525150510.htm |
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