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shining品

新虫 (初入文坛)

[交流] 愁得白了头。。。。。量子点修饰纳米管阵列薄膜,淬火后光电流为什么会下降呢 已有5人参与

我做cds量子点修饰纳米管阵列薄膜,管长8um。沉积上之后电流不高,因此采用热处理(淬火),之前做的4um管长的样品淬火后,电流变为原来的3倍,可管长了之后,淬火后电流反而下降。有没有哪位大师指点一下,小女子为此愁的快白头了
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匿名

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4楼2012-09-07 11:18:28
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wqy8563

至尊木虫 (文坛精英)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
可能是烧结又造成晶体缺陷增多 晶界也多了 现在转移过程中被捕获的太多,消耗大了  自然会降低
温良恭俭让
3楼2012-09-07 10:56:22
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匿名

用户注销 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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5楼2012-09-07 11:21:44
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
1.从实验方法上分析:是否沿用了4um热处理的参数?可能对于8um的样品,时间、温度都要重新优化。。你想看性能变化,实验要做得系统啊。至少温度要选几个温度,试一下,确定出哪个温度好。再看看同一温度下不同时间的情况,才能选出好的参数。。这样才行啊。你直接把参数套过来,太拼人品了。。再说了,发文章的时候,审稿人也会问你啊,为什么用这个温度、时间?别的温度、时间呢?还不是得补实验数据!
2.从数据本身分析:光电流下降,那么就意味着暗电阻增大了。看电镜和XRD了吗?纳米管坍塌了吗?晶体结构变差了吗?还有就是你两个样品的电接触效果是在同一个水平吗?在做热处理实验的时候,有没有control sample?control sample的变化如何?
是金子总会发光!!!
6楼2012-09-08 00:02:43
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