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愁得白了头。。。。。量子点修饰纳米管阵列薄膜，淬火后光电流为什么会下降呢 已有5人参与
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我做cds量子点修饰纳米管阵列薄膜，管长8um。沉积上之后电流不高，因此采用热处理（淬火），之前做的4um管长的样品淬火后，电流变为原来的3倍，可管长了之后，淬火后电流反而下降。有没有哪位大师指点一下，小女子为此愁的快白头了 |
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4楼2012-09-07 11:18:28
3楼2012-09-07 10:56:22
5楼2012-09-07 11:21:44
SCU_magiclee
铁杆木虫 (正式写手)
硅材料研发人员
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- 专业: 质谱分析
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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1.从实验方法上分析：是否沿用了4um热处理的参数？可能对于8um的样品，时间、温度都要重新优化。。你想看性能变化，实验要做得系统啊。至少温度要选几个温度，试一下，确定出哪个温度好。再看看同一温度下不同时间的情况，才能选出好的参数。。这样才行啊。你直接把参数套过来，太拼人品了。。再说了，发文章的时候，审稿人也会问你啊，为什么用这个温度、时间？别的温度、时间呢？还不是得补实验数据！ 2.从数据本身分析：光电流下降，那么就意味着暗电阻增大了。看电镜和XRD了吗？纳米管坍塌了吗？晶体结构变差了吗？还有就是你两个样品的电接触效果是在同一个水平吗？在做热处理实验的时候，有没有control sample？control sample的变化如何？ |
6楼2012-09-08 00:02:43
