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金虫 (正式写手)

[求助] donor bound exciton (DBE) peak是什么？

看文献，对某薄膜材料进行CL测试，提及donor bound exciton (DBE) peak，请问这是什么峰？与半导体材料的带边锋有什么关系？
因为在CL谱图中只出现了所谓的donor bound exciton (DBE) peak，而没有出现带边峰~

1楼 2012-09-05 10:48:31

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铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

★ ★ ★ ★ ★ ★
MANOWAR: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢~ 2012-09-19 21:23:53
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-20 10:10:39

DBE应该是施主束缚电子和价带空穴的复合辐射发光，对应施主能级和价带的跃迁。能量较带边复合发光要小（理论上小一个施主能级的电离能）。在谱图上应该较带边发光峰红移一些。

是金子总会发光！！！

2楼2012-09-19 09:18:44

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