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Laotudou

新虫 (小有名气)

[交流] 低于材料禁带宽度的光子激发出电子空穴对?求高人指点!已有9人参与

偶在做一种氧化物材料,禁带宽度3.5eV(对应的吸收波长350nm左右),但是偶用500nm以上光源照射材料,也能测到很大的光电流(波长可以到650nm,不过这时光电流很小)。请高人指点啊!

[ Last edited by 华丽的飘过 on 2012-9-22 at 21:14 ]
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回归2011

金虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
XRD就能打出来纯相,就没有杂质?
掺杂的Si
半导体就算去打XRD也是纯相的,掺的杂质浓度很小根本就打不出来。
都是要用质谱才打的出来的。
至于杂质或缺陷如果在禁带中引入能级,还是有可能的吧。

再要不然,你的样品测试时是不是和一些金属什么的接触到了,形成肖特基结之类,这感觉挺像太阳电池的。
21楼2012-09-07 15:08:14
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
夕阳版主说的极是,你怎么保证你制备的材料纯度100%呢?!
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
2楼2012-08-25 14:21:37
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
很大的光电流,是你的掺杂能级造成的吧,如果是杂质能级或缺陷态应该不会很大
4楼2012-08-25 19:21:58
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jacky.linn

铁杆木虫 (职业作家)

迷途书童


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
哥们,你这估计是掺杂的,禁带宽度变小了~~远没有3.5eV
5楼2012-08-25 20:09:48
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