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快速多壳合金晶体管
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快速多壳合金晶体管 Nature 488 (7410) 发表日期：2012年8月9日 在对晶体管进行改进和微型化的不断努力中，微电子行业最近采用了三维电子门结构。改进晶体管的另一方式是，采用比硅材料具有更高电子迁移率的半导体材料，尽管这一方式存在较大的制造方面的挑战。Katsuhiro Tomioka等人将两种方式综合了起来：他们在一种硅基质上来以高精度生长带一个环绕门的垂直的、六面“核-多壳”(core-multishell) 砷化铟镓纳米线。实验显示，这种纳米线的晶体管性能极好，具有优异的开/关行为和快速操作性能。（Link to Letter p. 189） doi: 10.1038/nature11293 http://www.nature.com/nature/jou ... pdf/nature11293.pdf |
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