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电子迁移率
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chengx2011
新虫
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注册: 2012-05-31
专业: 半导体电子器件
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电子迁移率
不同介电材料中电子的迁移率,比如氧化锆和氧化铪中?
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1楼
2012-08-01 17:16:43
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erimac
银虫
(正式写手)
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虫号: 543437
注册: 2008-04-10
性别: GG
专业: 计算机应用技术
【答案】应助回帖
电子迁移率决定器件的电流大小,一般来讲,晶体的迁移率很高,比如楼上说的硅,砷化镓等等,因为晶体朝向的不同,晶体各方向上的迁移率也不一致,如果晶体结晶不规整,中间出现所谓的Barrier之类,也可以降低晶体的迁移率,一般来讲这个和载流子浓度也有关(当然,空穴慢些也想得通)。
此外现在很多有机的,就需要尽量控制朝向,和做所谓的单晶(这我没做过,看有人做)。
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4楼
2012-09-20 10:10:04
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liu2004m
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虫号: 285887
注册: 2006-10-14
性别: GG
专业: 无机材料化学
管辖:
有奖问答
【答案】应助回帖
查查半导体物理或者固体物理教材
上面应该有常见的半导体的电子迁移率
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2楼
2012-08-03 09:19:21
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太行山下0523
木虫
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在线: 117.4小时
虫号: 1933256
注册: 2012-08-10
专业: 半导体电子器件
【答案】应助回帖
不同介电材料中电子的迁移率是不同的,而且要看掺杂浓度的。一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2
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3楼
2012-08-18 19:40:10
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shuiguolang
新虫
(初入文坛)
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在线: 17分钟
虫号: 2155317
注册: 2012-11-29
专业: 半导体电子器件
【答案】应助回帖
还要注意散射机制吧。比如表面粗糙程度、陷阱等。
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6楼
2012-11-29 16:00:39
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