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lisamos

木虫 (正式写手)

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[交流] 请教MOF导电及mof晶体缺陷方面的问题

Solid solution of metal ions, by the substitution of metal ions (Fe3+ in Fe2+ framework for instance) to form the defect for the charge carriers, in order to incorporate O2- or H+ which is mobile in MOF framework.
question： why it is possible to have O2- or H+ by use of Fe2+/Fe3+?
其实上面一段英文表述和问题的意思我也没搞明白，所以都无从下手。是有关高温下MOF导电性的。晶体缺陷，固溶体，自己就一小白；所以针对上面的问题，希望大家给点意见，小弟不胜感激！！有相关文献可以推荐下最好~先谢谢了

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1楼 2012-07-25 15:22:40

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qian1021

木虫 (小有名气)

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
lisamos: 金币+2, 我就是帮你问的 2012-07-25 18:59:21
lisamos: 金币+8 2012-07-25 21:06:48

金属离子的固溶体，通过金属离子替换（向二价铁的骨架结构中加入三价铁为例）形成电荷载体的缺陷，将O2- or H+引入MOF中并自由移动。
问题：为什么通过不等价离子的替换可以有O2- or H+在骨架中自由移动。

I think it’s because the generation of oxygen vacancies. (A large number of the ions of one species should be mobile. This requires a large number of empty sites, either vacancies or accessible interstitial sites.)
Lewis acidic ferrous ions have the potential to promote elimination of a proton from the coordination acid (Phosphorus oxoacids/phosphates), make the proton mobile in the oxygen vacancies. The O2- would be mobile in the the oxygen vacancies by inducing Fe2O3.

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