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wanghx627

新虫 (正式写手)

[求助] 半导体能隙大小和电化学电势的联系！

对于理论知识不太懂得我，最近遇到了这样一个问题：半导体的导带电势和价带电势的大小是通过什么方法和电化学的电极电势联系起来的？比如，TiO2的导带电势为（-0.5eV vs SHE），价带电势为（2.8eV vs SHE），它们是以标准氢电极为参考的。所以就不明白光激发产生的能量带隙（也可以说是导带和价带能量的大小）和电化学电势是什么关系，希望知道这方面知识的大牛们给点介绍，或是介绍点参考资料也好！
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1楼 2012-07-23 11:17:39
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wanghx627

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by liu2004m at 2012-07-23 11:29:54
导带电势为（-0.5eV vs SHE），价带电势为（2.8eV vs SHE）
那么他的能带宽度为2.8-（-0.5）=3.3eV

知道了导带和价带的电势，两者相减就能知道能带宽度

反之则不行

谢谢你的回复，我知道它的能隙是两者相减，我的意思是半导体的电势是如何和化学电势联系起来的？两者之间有什么关系？
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3楼2012-07-23 16:26:04
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liu2004m

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【答案】应助回帖

导带电势为（-0.5eV vs SHE），价带电势为（2.8eV vs SHE）
那么他的能带宽度为2.8-（-0.5）=3.3eV

知道了导带和价带的电势，两者相减就能知道能带宽度

反之则不行
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2楼2012-07-23 11:29:54
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liu2004m

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【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by wanghx627 at 2012-07-23 16:26:04
谢谢你的回复，我知道它的能隙是两者相减，我的意思是半导体的电势是如何和化学电势联系起来的？两者之间有什么关系？...

这个得看看电化学

好像有人测过绝大部分半导体的电势
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4楼2012-07-24 12:30:20
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