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tuyuan_whu铁虫 (小有名气)
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如图，多次在文献中见到如configuration-coordinate的图，意思上不难理解。说的是原子坐标对能级的影响。 电子在不同的能级上，对原子的坐标也是有影响的，不同价态的体系，经过弛豫后的原子坐标是不同的。 如图，横坐标表示的是原子坐标，纵坐标为能量值。如果将原子的弛豫当做一种弹性能，那么能级随原子坐标的变化为抛物线，最低点为对应价态的平衡位置。红线表示电子受光激发从基态跃迁到激发态，但是电子却不是直接到达激发态能量最低点，因为原子还没来得及弛豫。然后电子弛豫到激发态的最低点。路线表示电子从激发态跃迁回基态，同样，并不能直接到达基态的能量最低点。蓝色虚线表示的是热激发的过程，即原子弛豫即时进行。 显然，只要知道图中四个点对应的能量位置，就可以作出这个图了。 JAP上有篇文章讲到，Mg杂质原子替换掉GaAs中的Ga，产生缺陷能级，并且作出了电子从缺陷能级跃迁到导带的ccd图。可以用这样一个表达式来描述这个过程：V- -----> V0 + e。那么，对应的缺陷的电荷分别是-1价和0价，在此基础上作弛豫，即可得到平衡原子坐标。 我的问题是：如果在一个体系中，缺陷产生多个能级，电子从其中一个缺陷能级跃迁到另一个缺陷能级，如何得到电子在不同的缺陷能级上对应的原子的平衡坐标？如果有以前研究过的 ，求不吝赐教。   |
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 带电掺杂体系形成能 |
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