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如何用高斯模拟光电子谱PES
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文献中看到有人用高斯模拟了光电子谱，横坐标是binding energy，纵坐标没有给出，文献中说用TDDFT算激发态，然后得到光电子谱。请问，具体怎么去计算呢？ 激发态和光电子谱貌似没有关系啊，TDDFT得到的是吸收光（或发射光）谱线，而光电子谱是类似光电效应，把电子打出去。所以比较糊涂。 哪位高人指点一下。 |
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
gmy1990: 金币+3 2012-07-12 16:44:54
感谢参与，应助指数 +1
gmy1990: 金币+3 2012-07-12 16:44:54
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光电子能谱(PES)和光电子谱(PE)应该不是一个概念吧，前者是计算键能、判断成键组成和特性(用NBO等), 本质是电子轨道上的电子电离。后者我理解为是激发态计算, 本质是电子轨道上电子的跃迁, 跃迁到高能态过程成为吸收, 点在在高轨道不稳定、寿命很短，很快又下降到低轨道, 发射的出光为发射光谱。 这些光谱还可以细分。 PE光电子能谱(电离)在Gaussian中有OVGF, P3, SAC-CI, 剧作者Ortiz给我亲口说可能在接下来的版本中加入ADC(3) 都可算. PE光电子谱(跃迁)在Gaussian中有多种TDDFT密度泛函、CASSCF、ZINDO等半经验、 CASSCF+MP2、SAC-CI、EOM-CCSD 针对不同分子大小自己选择合适的方法和基组. |
4楼2012-07-12 13:50:55
feynman1965
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2楼2012-07-10 22:01:44
匿名
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3楼2012-07-12 10:36:15
