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quanten金虫 (著名写手)
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Nature 上关于FET又一力作 已有4人参与
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http://www.nature.com/nnano/jour ... nnano.2012.107.html High-speed electronic devices rely on short carrier transport times, which are usually achieved by decreasing the channel length and/or increasing the carrier velocity. Ideally, the carriers enter into a ballistic transport regime in which they are not scattered1. However, it is difficult to achieve ballistic transport in a solid-state medium because the high electric fields used to increase the carrier velocity also increase scattering2. Vacuum is an ideal medium for ballistic transport, but vacuum electronic devices commonly suffer from low emission currents and high operating voltages. Here, we report the fabrication of a low-voltage field-effect transistor with a vertical vacuum channel (channel length of ~20 nm) etched into a metal–oxide–semiconductor substrate. We measure a transconductance of 20 nS µm–1, an on/off ratio of 500 and a turn-on gate voltage of 0.5 V under ambient conditions. Coulombic repulsion in the two-dimensional electron system3 at the interface between the oxide and the metal or the semiconductor reduces the energy barrier to electron emission, leading to a high emission current density (~1 × 105 A cm–2) under a bias of only 1 V. The emission of two-dimensional electron systems into vacuum channels could enable a new class of low-power, high-speed transistors. 文章提出纳米技术可能促使场效应管全新工作理念，看样子场效应管这个曾经引导电子Revolution的主角将再一次扮演重要角色，在Nature上几乎每期都有力作。  |
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FET就像是集成电路的元细胞~~ 感觉nnano比nature还拽，拒稿的时候极其没有水准，希望虫虫们都进去灌个水哈 2楼2012-07-08 09:20:07
kaiyao0729
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