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美科学家称制作出密度最大的存储电路
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美国加州理工学院和洛杉矶加州大学的科学家在星期四版的《自然》杂志上发表一篇文章称，他们已经制作出了全球密度最大的存储电路，比目前标准存储电路的密度大100倍，同时使存储电路像人类的白血球一样小。 这种电路的存储容量为16万字节，而上一代分子电路的存储容量只有64字节。研究人员指出这种电路密度是一个真正的突破：每平方厘米可存储1000亿字节，比目前的存储电路的密度大100倍。 加州理工大学的化学教授James Heath说，随着半导体行业向前发展，他们将把芯片做得越来越小。根据他们的预测，从现在开始用不了几年半导体的生产方式就会失去增长的动力。 技术专家表示，这种新的电路显示了制作越来越小的集成电路的潜力。虽然这种技术距离大规模生产至少还有10年的时间，但是，这种技术将推动企业创建新的生产技术在越来越小的芯片中加入更多的电路。 市场研究公司Gartner副总裁和研究人员Martin Reynolds说，惠普的研究人员在2002年展示了类似的技术，但是，存储容量只有64字节。最新的进展表明，这项发展正在从研究阶段进入可以生产某些产品的阶段。 研究人员解释说，16万存储字节像一字棋盘那样排列在那里，400个硅线路与400个钛线路相交叉，中间是一层分子交换电路。每一个字节仅占15纳米宽度，而目前密度最大的存储芯片是140纳米宽。 研究人员表示，像英特尔那样的半导体公司在2020年能够生产出这种芯片 [ Last edited by luo.henry on 2008-4-25 at 15:16 ] |
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