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AM 半导体氧化物薄膜场效应晶体管最新综述
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Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins 1. Introduction 引言 2. History of Oxide TFTs 氧化物薄膜场效应晶体管（TFT）历史 3. Device Structure and Operation 器件结构及工作原理 4. Recent Progress of n-Type Oxide TFTs N型氧化物TFT研究进展 4.1. Historical Overview 历史回顾 4.2. Effect of Oxide Semiconductor Composition 氧化物半导体组成的影响 4.3. Electrical Stress Measurements 电应力测试 4.4. Effect of Passivation Layer 钝化层的影响 4.5. Effect of Dielectric Material 绝缘层的影响 4.6. Solution-Based TFTs 基于溶液法的TFT 4.7. p-Type Metal Oxide Based TFTs: Emergent Devices 基于P型金属氧化物的TFT 5. Emerging Applications 应用 5.1. Displays with Oxide-Based Backplanes 基于氧化物背板的显示器 5.2. Inverters and Ring Oscillators 反相器与环形振荡器 5.3. Oxide CMOS 氧化物CMOS 6. Conclusions 结论 -----------------------------------------------------------------------------------------------    [ Last edited by Fateam on 2012-5-10 at 19:01 ] |
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2012-05-10 18:59:42, 8.48 M
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