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最新ACS NANO关于石墨烯、碳纳米管的文章各一篇
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Integration ofHexagonal Boron Nitride with Quasi-freestanding Epitaxial Graphene: Toward Wafer-Scale,High-Performance Device。 [/filename]  Charge Injection in High-κ Gate Dielectrics of Single-Walled Carbon Nanotube Thin-Film Transistors[filename]nn300996t.pdf  |
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2012-05-10 17:06:58, 3 M
2012-05-10 17:07:18, 2.3 M
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58楼2013-12-27 00:37:19
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yuan9997楼
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