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houlichun金虫 (小有名气)
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带隙发生红移的原因是？
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| Zn掺杂SnWO4使带隙发生红移的原因是？急用！请大家多多指教！ |
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yuan999
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2楼2012-05-01 20:14:13
zmm870305
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qiqiqiqi: 金币+1, 回答的很具体 很好~ 2012-05-02 11:02:45
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引起“红移”的因素很复杂,归纳起来有: 1)电子限域在小体积中运动;量子限域效应；2)粒径减小,内应力(P=2 /r,r为半径, 为表面能)增加,这种内应力的增加会导致能带结构的变化,电子波函数重叠加大,结果带隙,能级间距变窄,这就导致电子由低能级向高能级及半导体电子由价带到导带跃迁引起的光吸收带和吸收边发生红移;3)能级中存在附加能级,如缺陷能级,使电子跃迁能级间距减小;4)外加压力使能隙减小;5)空位,杂质的存在使平均原子间距R增大,导致能级间距变小.键长的变长。 |
3楼2012-05-01 21:21:26
匿名
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5楼2012-05-02 08:15:26
轩辕世纪
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感谢参与，应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-04 07:41:21
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| 红移说明带隙减小，这里由于是掺杂引起，Zn比Sn离子半径要小，所以若替换Sn晶体里面会出现内应力，导致带隙变窄。这个可以算一下晶体的packing density 看变大变小，若变小说明存在内应力这个原因。这只是一种原因，还有可能Zn作为受主能级掺杂导致带隙变小。这个可以测一下霍尔，看是否有p型掺杂，以及载流子浓度是否变大。至于量子限域效应，晶粒尺寸越小只会导致带隙变大，这里带隙变小，有可能晶粒尺寸变大。这个就需要测一下SEM看晶粒尺寸变大还是变小。祝好运~~~ |
6楼2012-05-03 19:44:04
7楼2017-09-20 17:40:06
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