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MANOWAR

金虫 (正式写手)

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[交流] 请教异质外延生长晶体薄膜的晶向与衬底材料晶向的关系~【回答有帮助的送红花】已有10人参与

首先抱怨一下，小木虫论坛火热，在线会员及访客数量庞大，但是很多帖子回复率都很低，难道是提问寻求帮助的问题都太难了吗？每次发个帖子都准备发放金币，结果到最后基本没有回复，要不就是废话，浪费了一大堆金币（虽然金币也没什么用，就是用来发的），真心希望能有些真正的高手来到小木虫为虫友答疑解惑~少扯些闲淡~什么评上“教授了，散金币”，“发了XXX，求祝贺”之类的~看起来你学历和专业知识也应该达到一定高度了，来答疑解惑不是更好吗？
言归正传，请教一个问题：在使用诸如MOCVD、MBE或者HVPE之类手段外延生长晶体薄膜时，如果衬底材料的晶向【也就是衬底表面的晶面指数】可以任意选择，那么外延出来的薄膜的晶向如何？两者对应关系是如何确定的？如果是同质外延，我想，外延的薄膜去向与衬底去向应该一致，但是如果是异质外延呢？请不吝赐教~回答有帮助的送红花以示感谢~

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1楼2012-04-02 10:15:48

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24楼: Originally posted by diwunju at 2012-04-10 19:54:01:
同学，你讨论的是“外延”。epitaxy源于希腊语，epi表示沿着一个方向，tax是堆积的意思，“外延”的定义就是沿着衬底的晶向生长。如果你讨论的问题不是沿着衬底的晶向生长，你就不在讨论“外延”。所以，我说你的 ...

同学，我们现在讨论的也算是科技方面的学术问题，不是咬文嚼字。再说了，MOCVD本来就是外延技术的一种，但是MOCVD外延层与衬底确实并非完全对应，楼上的一些网友也举了例子，那么按着你所说的外延的定义，MOCVD外延薄膜与衬底晶向不同，那也就意味着MOCVD并不是外延技术嘛~那你认为MOCVD应该该类为何技术？

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26楼2012-04-11 09:04:03

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引用回帖:

21楼: Originally posted by clchen at 2012-04-10 16:04:27:
只能说那个作者没捉到长m面GaN在m面蓝定石上的条件,c面也一样.
搜到一篇m GaN on m sapphire文章:JCG 325 (2011),85.
还有一篇Epitaxy of m-GaN on nanoscale patterned c-plane sapphire substrates, Surface ...

我也感觉自由能对于原子沉积位置起着关键作用，进而影响了最终薄膜取向。
那么按着您的意思，工艺条件也是对于生长界面自由能有重要影响了？不知道这个本质上是如何影响的。不知道大侠有没有看到过相关文献有介绍呢？

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27楼2012-04-11 09:08:26

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