| 查看: 308 | 回复: 0 | |||
wangganglzu至尊木虫 (职业作家)
|
[交流]
一篇APL有关Graphene的疑问
|
|
文献中介绍，在Ru上制备Graphene后，再在Graphene上淀积一层Si，退火后，发现顶层Si会跑到Ru和Graphene的交界处，我的疑问是：Graphene很致密，连最小的He原子都无法通过，那么这个Si是怎么过去，是因为Graphene中有空位，还是制备的Graphene本身就不连续？ 相关文献如下  |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Silicon layer intercalation of centimeter-scale, epitaxially grown monolayer graphene on Ru（0001）.pdf
2012-03-19 09:50:01, 1.85 M
» 猜你喜欢
求助一篇MEMS散热器件文献
已经有0人回复
-
材化专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有281人回复
-
材料化学专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
100