| 查看: 819 | 回复: 3 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
bjmaowei25铜虫 (小有名气)
|
[求助]
H 原子在Si 晶体中的掺杂中结合能的计算
|
|
|
请问下大家，在H 原子在Si 晶体中的掺杂中结合能的计算过程中,根据结合能公式 E(binding)= E（掺杂后总能）-E（掺杂前总能）-E（H） 由于H原子有未对称的原子，这里面 E（掺杂后总能），E（掺杂前总能总能），E（H） 三个参数 都必需同时考虑自旋吗？ 不知到哪位曾经算过，谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
085602调剂 初试总分335
已经有5人回复
-
302分 085601求调剂推荐
已经有8人回复
-
生物学308分求调剂（一志愿华东师大）
已经有10人回复
-
材料专硕(0856) 339分求调剂
已经有8人回复
-
085410人工智能 初试316分 求调剂
已经有6人回复
-
282求调剂
已经有10人回复
-
070300化学求调剂
已经有17人回复
-
318求调剂
已经有12人回复
-
308求调剂
已经有3人回复
-
315求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 如何处理在体结构中掺杂小原子（如B，N，C等）并做结构弛豫？
已经有39人回复
- vasp计算中如何比较掺杂前后结合能
已经有13人回复
- 【求助】ms中如何去除晶体中的一个原子并用其它原子去替代
已经有10人回复
bjmaowei25
铜虫 (小有名气)
- 应助: 3 (幼儿园)
- 金币: 362.1
- 红花: 1
- 帖子: 121
- 在线: 293.5小时
- 虫号: 1531554
- 注册: 2011-12-10
- 性别: GG
- 专业: 结构陶瓷
3楼2012-03-18 20:25:15
4楼2013-10-06 16:42:50
