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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

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专业: 理论和计算化学
管辖: 仿真模拟

[交流] VASP计算论文一篇（含response，支持信息和正文修改痕迹）(校稿已经上传) 已有14人参与

广告贴：

下载请移步计算模拟版。http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4218395&page=1#pid1

用到的分析方法：

Mn掺杂的CeO2（111）slab模型的：PDOS, Bader, PARCHG电荷密度，自旋电荷密度（上旋减下旋），PDOS积分，吸附分子振动分析，氧空位形成能。

个人觉得，文中对掺杂离子与氧离子的库伦作用对氧空位形成的影响，以及掺杂元素与O形成的杂化轨道作为氧空位形成和O2吸附活化的电子传递通道讨论是出彩的地方。文中的关于O2p hole的讨论，特别是与之相关几篇参考文献也比较有学习参考价值。

希望对下载附件的虫子有帮助。

有问题想指出或者讨论的，欢迎直接跟帖。

文中Figure 1a中的O_s,Mn应该是O_b,Mn.

入门的文章，希望大家轻拍。可以通过连接下载。但是更详细的信息在附件中。

[ Last edited by cenwanglai on 2012-3-13 at 17:20 ]

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qlm2001

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1楼 2012-03-08 15:24:40

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三个果子

新虫 (初入文坛)

应助: 1 (幼儿园)
金币: 51.5
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在线: 12.7小时
虫号: 1936077
注册: 2012-08-13
性别: MM
专业: 无机材料化学

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

计算新人，谢谢楼主分享经验，正在读楼主的文章。

想请教楼主个问题。
当建模后，进行计算之前应该要优化的吧，请问楼主是怎么进行优化的呢？
在之前虫友的帖子看到过优化的过程，主要有以下两种方法
——--------------------------------------------
1。在优化的时候，把cell shape和cell volume都放开驰豫，设置ISIF=3，用 IBRION = 2，CG方法来驰豫两次，第二次是copy第一次做好的CONTCAR作为POSCAR，(可以参看VASP手册7.6.2 Accurate bulk relaxations with internal parameters (one)), 第三步要得到能量的话就用比较精确的方法做。(PREC=High, ISMEAR=-5)。

2。是把体积固定(设置ISIF=4)，对构型进行优化，做两次之后(参见VASP手册的7.6.3 Accurate bulk relaxations with internal parameters (two))，再用比较精确的方法得到能量(这回不要做驰豫，即离子要设为不动的，因此ISIF可以设为2)，得到一个能量，然后变化POSCAR中的晶格常数，在大概的晶格常数位置周围做几个点，然后对能量和晶格常数做二次函数拟和得到最低的能量所对应的晶格常数，从而这个结构可以被认为是优化好了
------------------------------------------------------------

优化的方法也可能是计算的元素不同，优化方法不同，请问楼主是怎么进行优化的呢？另外优化时应该也得到自由能，请问优化过程中得到的自由能，被包含在计算后的氧空位形成吗？
另外当优化过程中要加U吗？