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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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[交流]
VASP计算论文一篇(含response,支持信息和正文修改痕迹)(校稿已经上传) 已有14人参与
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广告贴: 下载请移步计算模拟版。http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4218395&page=1#pid1 用到的分析方法: Mn掺杂的CeO2(111)slab模型的:PDOS, Bader, PARCHG电荷密度,自旋电荷密度(上旋减下旋),PDOS积分,吸附分子振动分析,氧空位形成能。 个人觉得,文中对掺杂离子与氧离子的库伦作用对氧空位形成的影响,以及掺杂元素与O形成的杂化轨道作为氧空位形成和O2吸附活化的电子传递通道讨论是出彩的地方。文中的关于O2p hole的讨论,特别是与之相关几篇参考文献也比较有学习参考价值。 希望对下载附件的虫子有帮助。 有问题想指出或者讨论的,欢迎直接跟帖。 文中Figure 1a中的O_s,Mn应该是O_b,Mn. 入门的文章,希望大家轻拍。可以通过连接下载。但是更详细的信息在附件中。 [ Last edited by cenwanglai on 2012-3-13 at 17:20 ] |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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楼主您好 我想算金属氧化物的氧空位形成能,读了您的论文受益匪浅,但也是刚刚入手vasp,碰到的问题也很多,上手觉得很难,所以想按照楼主的论文练习下,希望楼主能够给予指导,先谢谢了,呵呵。 我试了下ceO2生成氧空位时的形成能,但试了几次都没算出楼主的结果 CeO2-->vCeO2+1/2CeO2 的空缺形成能是2.08ev 不知道楼主能否把您的计算的具体过程告诉我,谢谢您了。 以下是我的邮箱qlm2001@yahoo.com |
14楼2012-05-15 17:30:12
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2楼2012-03-09 08:18:12
sunyang1988
至尊木虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 1
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3楼2012-03-09 09:29:17
天棚元帅
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4楼2012-03-10 00:23:08










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