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请教一个光催化问题：荧光信号强光催化活性就差吗？
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荧光是半导体受光照激发后，跃迁到导带的光生电子回到价带的过程发出的光。因此，可以看成是光生电子与空穴的复合，这对光催化反应是不利的。一般来说，半导体的荧光越强，光催化活性越差。但是最近在看文献的时候发现这个规律也不是完全正确，也有学者提出相反的论调，认为荧光的强弱与半导体纳米离子中的表面氧空位和缺陷有关，在光致发光过程中，表面氧空位和缺陷能够束缚光生电子，同时形成自由激子或束缚激子，并进一步产生荧光，氧空位和缺陷浓度越大，荧光越强。同时氧空位和缺陷对光生电子的束缚会降低光生电子和空穴的复合，有利于光催化反应的进行。不知道这个论点有没有道理。 或者是不是可以这样来解释，半导体的荧光信号可从强度和寿命两个方面衡量，荧光寿命长，说明光生电子与空穴复合的速度慢，有利于光催化反应。而荧光信号强则说明电子跃迁回来更为容易，所以不利于光催化。但是如果碰到信号即强，寿命又长的半导体材料又该如何解释呢？ 不知各位牛人能否给我解惑一下。 [ Last edited by daiqiguang on 2007-5-11 at 09:21 ] |
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