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vasp计算石墨烯能带时,dirac点是打开的,带隙不为零,与静态的DOSCAR也对不上
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vasp计算SiC外延生长的单层石墨烯(32个C原子)的能带时,能带图中的dirac点是打开的,带隙不为零,与理论上严重不符。但是与静态的DOSCAR也对不上,然而之前的静态计算好像没有什么问题。不知是怎么回事,请高手解答。
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附上我的进行静态计算和能带计算的INCAR,请高手指点。
静态:general:
System =pb(111)
ISTART = 0
PREC =A
ENCUT =400
# GGA = 91
# NPAR = 4
NSW= 0
# NBLOCK = 1; KBLOCK = 40
NELM=100
EDIFF = 1E-04
EDIFFG = -0.01
IBRION =-1
# IBRION = 2
# ISMEAR = 1
# ICHARG = 11
# EMIN = -3.5863
# EMAX = 2.4137
# RWIGS = 10.6574 1.661307
LORBIT = 10
# ADDGRID = T
LWAVE = F
LVTOT = T
LCHARG = T
LELF=T
# Electronic Relaxation 2
# IALGO = 48 algorithm
# LDIAG = T sub-space diagonalisation
LREAL = .FALSE.
能带:general:
System =pb(111)
ISTART = 0
PREC =Accurate
ENCUT =400
# GGA = 91
# NPAR = 4
NSW= 0
# NBLOCK = 1; KBLOCK = 40
NELM=100
# EDIFF = 1E-04
# EDIFFG = -0.01
IBRION =-1
# IBRION = 2
# ISMEAR = 1
ICHARG = 11
# EMIN = -3.5863
# EMAX = 2.4137
# RWIGS = 10.6574 1.661307
# LORBIT = 10
# ADDGRID = T
LWAVE = F
# Electronic Relaxation 2
# IALGO = 48 algorithm
# LDIAG = T sub-space diagonalisation
LREAL = .FALSE.
[ Last edited by tianman on 2012-3-6 at 16:48 ] |
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