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floljf

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【答案】应助回帖

引用回帖:

7楼: Originally posted by meixinyidian at 2012-02-29 23:58:30
弱n型是由于本征非晶硅的电子漂移迁移率远远大于空穴迁移率，而导致其电导率主要是电子输运，从而表现出弱n型的电导特性。

还有i层的主要作用有两个：1，作为光吸收层，因为pn层太薄，不足以吸收光源。
2，由于 ...

讨论以下几个问题，想必对楼主还是很有帮助的：

1. 为什么在本征层非晶硅中电子的迁移率mobility要远大于空穴？

2. 你提到的：因为pn层太薄，所以选择本征层非晶硅，那么为什么在硅基薄膜电池中其pn层都是这么薄？毕竟在体硅电池中，p层的厚度要比n层厚度大很多；当然如果你用n型硅的话，反过来；

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11楼2012-08-08 08:53:20

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meixinyidian

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【答案】应助回帖

1迁移率是和有效质量有关的，有效质量越大，迁移率越小，在硅中电子的有效质量小于空穴的有效质量;2非晶硅的p层或n层的载流子复合率较高，扩散长度比较短，不利收集

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12楼2012-08-08 10:08:24

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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

我的理解比较浅显
非晶材料中的缺陷态密度大，载流子容易复合，非晶硅PN结电池中的光生载流子很快会被各种缺陷复合掉，无法像晶硅那样应用。因此，在其中引入一层本征层专门用来产生空穴-电子对，因为本征层也是非晶，为了减少载流子在本征层复合掉，采用的方法就是用H去饱和本征层中Si的悬空键，从而提高收集效率，这样非晶硅电池的基本结构就确定了。
基本结构确定以后，空穴电子对的产生和在内建电场下的分离问题就解决了，这时P层及N层的作用仅仅只是提供内建电场，因为他们也是非晶材料，为了进一步优化电池结构，减少光生载流子的复合，P、N层就做的很薄，又因为体系中空穴的μ比电子小很多，所以P更薄。
我认为大家说的都有道理，但是似乎很多人并没有从设计的角度去考虑真正的因果关系

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13楼2012-08-13 11:18:05

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