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floljf

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
7楼: Originally posted by meixinyidian at 2012-02-29 23:58:30
弱n型是由于本征非晶硅的电子漂移迁移率远远大于空穴迁移率,而导致其电导率主要是电子输运,从而表现出弱n型的电导特性。

还有i层的主要作用有两个:1,作为光吸收层,因为pn层太薄,不足以吸收光源。
2,由于 ...

讨论以下几个问题,想必对楼主还是很有帮助的:

1. 为什么在本征层非晶硅中电子的迁移率mobility要远大于空穴 ?

2. 你提到的:因为pn层太薄,所以选择本征层非晶硅,那么为什么在硅基薄膜电池中其pn层都是这么薄?毕竟在体硅电池中,p层的厚度要比n层厚度大很多;当然如果你用n型硅的话,反过来;
11楼2012-08-08 08:53:20
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

1迁移率是和有效质量有关的,有效质量越大,迁移率越小,在硅中电子的有效质量小于空穴的有效质量;2非晶硅的p层或n层的载流子复合率较高,扩散长度比较短,不利收集

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
12楼2012-08-08 10:08:24
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

我的理解比较浅显
非晶材料中的缺陷态密度大,载流子容易复合,非晶硅PN结电池中的光生载流子很快会被各种缺陷复合掉,无法像晶硅那样应用。因此,在其中引入一层本征层专门用来产生空穴-电子对,因为本征层也是非晶,为了减少载流子在本征层复合掉,采用的方法就是用H去饱和本征层中Si的悬空键,从而提高收集效率,这样非晶硅电池的基本结构就确定了。
基本结构确定以后,空穴电子对的产生和在内建电场下的分离问题就解决了,这时P层及N层的作用仅仅只是提供内建电场,因为他们也是非晶材料,为了进一步优化电池结构,减少光生载流子的复合,P、N层就做的很薄,又因为体系中空穴的μ比电子小很多,所以P更薄。
我认为大家说的都有道理,但是似乎很多人并没有从设计的角度去考虑真正的因果关系
13楼2012-08-13 11:18:05
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夜冷冷

木虫 (著名写手)

硅基薄膜太阳能电池

【答案】应助回帖

问题1  因为掺杂的Si 薄膜具有很高的缺陷态密度,使得光生载流子寿命太短,不能被大量的分离出来。因此,需要在P层和N层之间加上一层低缺陷浓度的本征层,使得最慢的载流子的平均自由程足够大,能够从该层分离出来,并将其收集。
问题2  I层呈现弱N型是因为在沉积过程中氧的存在造成的~
既然选择了远方就只顾风雨兼程~
14楼2012-10-26 18:32:55
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比克小魔

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

i 层是光吸收区吧,内建电场的存在区域,pn型主要是建立内建电场
我想借着问一下的是,对于n型衬底和p型衬底哪种衬底好一些呢?
15楼2013-03-17 14:14:48
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zpawl

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
15楼: Originally posted by 比克小魔 at 2013-03-17 14:14:48
i 层是光吸收区吧,内建电场的存在区域,pn型主要是建立内建电场
我想借着问一下的是,对于n型衬底和p型衬底哪种衬底好一些呢?

按理说是n型好一些,因为n型是电子导电,电子比空穴的迁移率要高
16楼2013-03-19 09:12:17
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鹇小墨

银虫 (正式写手)

谢谢,受教了,不知是不是所有太阳能电池都是p型迎光??
比矢量还矢的量。。。叫张量。
17楼2013-06-29 18:11:22
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highlander

银虫 (小有名气)

引用回帖:
17楼: Originally posted by 鹇小墨 at 2013-06-29 18:11:22
谢谢,受教了,不知是不是所有太阳能电池都是p型迎光??

不是
学习ing
18楼2013-12-12 01:24:57
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这个哥真帅

金虫 (小有名气)

顶一个

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
快乐还是忧伤
19楼2013-12-12 10:41:39
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