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taoyulun

木虫 (正式写手)

[交流] Bell Lab 领导了最高电子迁移率物质研究很多年!谁能来突破? 已有3人参与

Bell Lab 领导了最高电子迁移率物质!谁能来突破?
迄今为止,  GaAs/AlGaAs调制掺杂异质结能获得的电子迁移率已高达1×107cm2/ V·s 。
不明白为何异质结能够得到最高的电子迁移率?
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2012
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bruce3600

银虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by taoyulun at 2012-02-24 15:37:31
电子的迁移率,其单位为cm2/ V·s 。
不同的金属导体有不同的电子迁移率,其典型数据为铝:12 紫铜:32 银:56
为何异质结能够得到最高的电子迁移率?

迁移率高有两个原因:
1. 外延生长技术使缺陷密度大幅度下降;
2. 调制掺杂使掺杂原子与载流子空间分离,大幅度降低电离散射。
6楼2012-09-19 22:04:53
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taoyulun

木虫 (正式写手)

nofrunolif(金币+1): 欢迎交流 2012-02-24 17:26:18
电子的迁移率,其单位为cm2/ V·s 。
不同的金属导体有不同的电子迁移率,其典型数据为铝:12 紫铜:32 银:56
为何异质结能够得到最高的电子迁移率?
2012
2楼2012-02-24 15:37:31
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diamondfire

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
这个不是真正的电子迁移率,而是等效迁移率。
利用量子阱结构,势垒层的电子注入到阱中,使得阱区的载流子浓度远高于平衡态,也就意味着等效电流显著提高。通过这个电流计算的载流子迁移率当然大幅提高了。

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再烦,也别忘微笑;再急,也要注意语气;再苦,也别忘坚持;再累,也要爱自己。低调做人,你会一次比一次稳健;高调做事,你会一次比一次优秀。
3楼2012-02-24 23:52:22
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taoyulun

木虫 (正式写手)

送鲜花一朵
引用回帖:
: Originally posted by diamondfire at 2012-02-24 23:52:22:
这个不是真正的电子迁移率,而是等效迁移率。
利用量子阱结构,势垒层的电子注入到阱中,使得阱区的载流子浓度远高于平衡态,也就意味着等效电流显著提高。通过这个电流计算的载流子迁移率当然大幅提高了。

电子迁移率与电导率的关系,我也想知道
2012
4楼2012-02-25 09:52:49
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