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在具有一个半圆的交流阻抗图中,由SEI膜造成的阻抗能看出来吗?
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675881230
银虫
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专业: 电化学
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]
在具有一个半圆的交流阻抗图中,由SEI膜造成的阻抗能看出来吗?
在具有一个半圆的交流阻抗图中,高频区的拐点是本体阻抗,低频区的拐点是本体阻抗与电荷转移阻抗的和。不知道我这种解释是否正确?请各位指正!另外有一个问题就是
在具有一个半圆的交流阻抗图中,由SEI膜造成的阻抗能看出来吗?
In the EIS data, the apparent absence of contribution from SEI layer should be clarified
上面是投稿编辑提的问题,不知道怎么回答!!请各位帮忙!谢谢
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1楼
2012-02-17 16:28:18
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我叫李萌萌
金虫
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虫号: 1279634
注册: 2011-04-27
专业: 电化学
是全电池吗?可以试试在低温下测量,区分荷转和SEI
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大道之行也,天下为公.
4楼
2019-07-26 11:03:08
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bianhy
至尊木虫
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专业: 有机分析
【答案】应助回帖
感谢参与,应助指数 +1
675881230(金币+1): 谢谢回帖 2012-02-18 15:36:13
只有一个半圆的阻抗谱,膜的时间常数可能和电化学过程的时间常数很接近,不能区分。
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2楼
2012-02-18 09:09:07
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新虫
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注册: 2017-04-08
性别: GG
专业: 电化学
同遇到这样的问题,楼主怎么解决的,我的EIS只有一个半圆,拟合之后也没有SEI的电阻,
The fitting of EIS seems to neglect the resistance from the SEI. The authors need to revisit the fitting to include discussion regarding the SEI.
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3楼
2019-07-22 19:34:45
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