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一篇关于蓝光LED的博士论文，很详尽！！
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本文主要研究了GaN基LED的MOCVD材料生长与性质，主要内容如下： 1．研究了缓冲层的作用机理以及高温生长初始阶段生长V佃比、生长压力、等 参数对GaN表面形貌、晶体质量、光学质量以及电学质量的影响。利用EBSD 技术研究了蓝宝石—GaN界面处的局域应力的分布情况，结果表明GaN缓冲 层已呈现出具有小角度位错的单晶结构，失配应力也通过GaN缓冲层得到释 放；在低温以及高温生长的初始阶段，较高的压力利于增大岛的尺寸，减小 岛密度，同时降低高温生长初始阶段的V／Ⅲ比还可以推迟GaN小岛的合并， 减少刃位错密度；采用斜切的衬底，可以有效地降低缺陷密度，提高GaN的 晶体质量。并且存在一个最优斜切角度O．20，此时GaN外延层不但具有光滑 平整的表面，而且具有最优的光学与电学性质，并对其作用机理进行了探讨。 优化了本征GaN材料的生长条件，成功制备出了迁移率高达6970m2N-s的 器件级高质量GaN外延材料。 2．研究了GaN掺杂的基本原理以及掺杂对材料特性和器件性能的影响。 |
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