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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 热点前沿问题讨论 » 掺杂 禁带变宽的原因
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xueht987

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖交流！ 2012-04-07 16:15:23
掺杂可以导致能带变宽的，因为有些半导体的带隙是具有可调制性的，有的呈线性变化，有的呈二次多项式变化-对应的就有光学弓形系数。
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11楼2012-04-07 09:07:49
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avast2009

荣誉版主 (职业作家)

努力、勤奋！

优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖交流！ 2012-04-07 16:15:32
掺杂后电导性降低，应该会存在这种情况吧

至于说原因还是要具体分析了
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12楼2012-04-07 15:23:13
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farfaraway08

铜虫 (著名写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by tider at 2012-04-06 23:03:17:
Be 掺入ZnO就会拓宽带隙。因为BeO是绝缘体，BeO与ZnO又是同结构，互溶性很好，所以Be在ZnO中很容易替代Zn原子形成Be-O键，从而拓宽带隙。

你好，请问能否给个这个文献的地址或者文章上来大家分享一下。
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13楼2012-04-07 19:59:46
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tider

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢，回帖交流。 2012-07-25 13:58:23
引用回帖:
13楼: Originally posted by farfaraway08 at 2012-04-07 19:59:46:
你好，请问能否给个这个文献的地址或者文章上来大家分享一下。

Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 121121.
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14楼2012-04-07 20:19:13
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farfaraway08

铜虫 (著名写手)
引用回帖:
14楼: Originally posted by tider at 2012-04-07 20:19:13:
Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 121121.

谢谢了
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15楼2012-04-07 20:27:57
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shmilylxc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢，回帖交流。 2012-07-25 13:58:33
Al元素掺杂ZnO也会是带隙变宽
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16楼2012-04-28 09:44:13
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0929kong

金虫 (小有名气)
★ ★
franch: 金币+2, 谢谢，回帖交流。 2012-07-25 13:59:01
Cu 掺杂Ga2O3薄膜的禁带宽度变小
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17楼2012-05-21 11:18:58
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frank_zhan

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
franch: 金币+3, 谢谢，回帖交流。 2012-07-25 13:59:11
引用回帖:
6楼: Originally posted by 陈茉 at 2012-03-08 21:49:06
那您能举一个掺杂使gap变宽的例子么？...

Mg掺杂ZnO也可以是带隙变宽。ZnO的带隙为3.37eV，但是Mg掺杂后可以到3.7eV以上。
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
18楼2012-07-24 18:47:41
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天蓝色的海

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by tfl20071306 at 2012-03-03 17:05:44
至于变宽，就没遇到过了。

那请问有哪些情况可以导致禁带宽度变宽呢？
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生如夏花
19楼2012-07-27 18:37:33
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highpy

木虫 (知名作家)
半导体pn结反向偏压比较大的时候，能带图中耗尽区的能带宽度明显变小了，为什么呢
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20楼2012-09-03 22:04:03
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