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TI淡出先进数字工艺竞赛，IDM时代终结
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2007-2-1 来源：ICDATA 在英飞凌科技、NXP、Freescale和LSI Logic等厂商纷纷宣布采用“轻制造”(fab-lite)甚至fabless策略后，集成电路的发明人、当今最为成功的整合器件制造商(IDM)德州仪器(TI)日前表示，将与代工合作伙伴一起而不是单独开发更先进数字工艺技术。这意味，在数字工艺方面，IDM和foundry/fabless之间的差距已经越来越小，自己拥有工艺和工厂不再是数字芯片供应商很大的优势，设计和制造并重的IDM时代已经终结。 根据TI最近发布的财报，2006年TI销售额达到了创纪录的142.5亿美元，比2005年增长了16%；净收入为43亿美元，比2005年增长了82%。不过，这份满意的成绩单很大程度上来自于其高性能模拟业务，2006年TI的高性能模拟产品线的销售额增长了33%，并持续提升了整个公司的利润率。而在数字芯片方面，前景并不乐观。TI公司总裁兼CEO Rich Templeton表示：“2007年第一季度挑战将会继续，因为客户希望保持较低的存货水平，而且无线市场的增长倾向于一些低价的、基本功能手机，而不是高价的多功能手机。” 为了应对数字芯片市场上下波动较大的现状，TI目前采取的是一种混合制造策略(hybrid manufacturing strategy)，即将一部分芯片制造外包给代工厂(foundry)，以提升制造的灵活性和利润率。如今，TI将这种策略更进一步，将与代工厂的合作从制造外包拓展到工艺研发上。 图题：fabless/foudry和IDM在工艺上的差距越来越小 Templeton指出：“进入2007年，我们面临着继续提升业绩的挑战。一个对策就是改变我们开发先进数字工艺的技术的方法。我们将和我们的代工伙伴合作定义和开发下几代数字工艺技术，并继续在我们的世界级工厂里生产这些产品，而不是单独创造我们自己的核心技术。这是我们和现有代工伙伴合作关系的自然延伸，将提升匀的研发效率和资本效率，同时保持对客户的响应。此外，我们一家旧的数字芯片工厂将停止生产，它的设备将转移到我们的几家模拟工厂，以提升模拟芯片的产量。” 这意味着TI在45纳米节点停止单独的开发，而在32纳米、22纳米等以后的工艺中更多和代工厂合作。尽管TI称仍在自己的工厂里生产这些产品，但有业界人士猜测这可能只是一个过渡期的策略，TI很可能不会再大建新一代数字工艺芯片厂，而会将更多制造外包给Foudry。 Foundry开始成为先进工艺开发主角，IDM时代终结 而就在数天以前，NXP和Freescale也在先进制造工艺的研发策略上宣布了重大变动，更多加强与代工厂的合作。而在更早前，英飞凌科技和LSI Logic已经宣布采用“轻制造”(fab-lite)甚至fabless策略。 1月16日，NXP(飞利浦半导体)宣布在2007年合约期满之后，将不会延长其目前在Crolles 2联盟的合作，并同时宣布与代工巨头台积电(TSMC)加强在CMOS工艺技术的研发合作及制造伙伴关系。NXP在2007年仍会与Crolles 2联盟的其它成员完成目前的45纳米CMOS计划，并且确保顺畅交接。 Crolles 2联盟由意法半导体(ST)和NXP(当时为飞利浦半导体)于2000年成立，旨在以更快的速度和更高的成本效率开发和制造新一代技术和SoC解决方案。2002年，Freescale(当时为摩托罗拉)加入该联盟。2001年，台积电也加入了该联盟。Crolles2联盟目前已有120纳米、90纳米及近期的65纳米工艺产品推出上市。 就在业界猜测由三大IDM组成的豪华Crolles 2联盟的命运时，1月23日，Crolles 2联盟的另一大成员Freescale宣布加入IBM的“代工厂俱乐部(fab club)”，合作开发先进制造工艺。从45纳米节点开始，到32纳米、22纳米等。Freescale也将获得IBM通用平台伙伴的共同产能——这包括IBM、特许半导体和三星。尽管Freescale没有透露是否退出Crolles 2联盟，但却称“IBM联盟的投资规模大大超过了Crolles 2联盟。” 无论是IDM转向Fabless，还是IDM加强与foundry合作开发先进工艺，都已经表明，在标准数字CMOS工艺越来越成熟，跟上摩尔定律的成本越来越高导致向更新一代工艺迁移速度减慢等多种因素共同的作用下，IDM和foundry/fabless之间的工艺差距越来越小，自己拥有工艺技术和工厂不再是数字芯片供应商很大的优势。ABN-Amro Bank分析师Didier Scemama表示：“TI这一战略举动表明代工厂(Foundry)多少已经赶上了整合器件制造商(IDM)，因此自己拥有制造工艺和工厂并不占有很大优势。” 相反，由于新一代数字工艺研发和建厂费用巨大，而数字芯片市场波动较大，自己独立开发工艺和建造工厂，对于IDM来说可能是一个沉重的负担，并且缺少灵活性。因此，在数字芯片领域，纯粹IDM这种模式，已经显得“吃力不讨好”。TI的这种制造战略转变表明，在数字芯片领域，IDM的模式已经终结。 一个最明显的例子就是高通(Qualcomm)。作为fabless公司的典型代表，在130纳米工艺节点时，高通和以TI、Freescale为代表的IDM之间的差距是24个月，而到90纳米时缩短为12-15个月，而在65纳米时综短为6个月，高通预计在45纳米时只比IDM落后3个月。而这得益于高通在2年多前开始采用的“集成的无生产线模式(IFM)”——fabless与EDA、代工厂商和封装/测试公司等更紧密合作，并在多个代工合作伙伴间形成通用平台。 需要强调的是，IDM模式的终结，目前还仅限于数字芯片。而在模拟芯片领域，由于芯片设计和芯片制造同样都是是模拟厂商核心竞争力的一部分，不同厂商都有自己的独特工艺，IDM目前仍是主导模式。 |
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