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xdweld木虫 (正式写手)
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xinglinzi
木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
xdweld(金币+4, 基金HEPI+1): ★★★★★最佳答案 2012-01-21 11:34:42
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ZnO低维结构的稀土离子掺杂及其高压物性研究 项目负责人：潘跃武 项目批准号：51172194 阐明半导体低维结构的生长、掺杂机制，揭示半导体基质与掺杂离子间的相互作用，是发现新型功能材料的基础，也是实现半导体器件应用的关键。本项目以稀土离子在ZnO低维结构中的大失配掺杂为研究对象，系统研究掺杂低维材料相关的科学问题。在常规研究方法的基础上，我们采用高压原位研究方法，将低维结构的压致结构相变和掺杂低维结构的高压光致发光研究结合到一起，更深入地研究纳米结构的量子限制效应和稀土离子特殊的跃迁特性对材料的光学性质的共同作用结果。借助晶体场理论分析和高压电学研究，建立体系的电子能带模型，深入研究稀土离子与基质晶体环境的相互作用。根据以上研究结果，阐明低维结构的生长、掺杂机制，基质和稀土离子之间能量传递机制等关键问题，明确实现三价稀土离子在II-VI族半导体低维材料中有效掺杂的技术关键，获得低成本制备掺杂ZnO基低维材料的最优化工艺。 |
2楼2012-01-20 14:29:13