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楼1970-01-01 08:00:00

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xinglinzi

木虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

xdweld(金币+19, 基金HEPI+1): ★有帮助 2012-01-25 19:57:20

铁电场效应晶体管（FFET）存储器是一种非常理想的存储方式，而FFET是其中重要的核心单元。将半导体氧化物引入到FFET中有望获得良好的晶体管特性并且提高保持力。目前，这方面的研究还没有形成公认的材料体系，同时器件的性能仍有待于提高。因此，本课题同时将Mg和Al元素掺杂的ZnO薄膜引入到铁电场效应晶体管中，采用磁控溅射法建立以MgxZn1-xO为沟道层、AZO为电极、BNT为栅介质层的晶体管模型器件；精确控制薄膜的掺杂量、厚度、溅射参数与晶体管电学性能之间的关系；通过改变退火条件，研究BNT薄膜表面氧空位等缺陷的变化规律；再深入分析AZO/BNT/MgxZn1-xO之间的界面态与界面相互作用，结合晶体管电学特性测量，阐明界面效应对铁电场效应晶体管漏电流和保持特性的影响规律。本项目的研究，将为FFET材料和工艺的进一步研究开发及深入理解界面行为规律提供实验和理论依据

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3楼2012-01-25 18:03:40

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