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大部分金属氧化物及硫化物的能带位置(v,NHE)及出处
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- 附件 2 : 半导体禁带宽度和价带导带位置band_gap_汇总.pdf
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2012-01-09 08:33:42, 73.17 K
2012-01-09 08:34:02, 365.95 K
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87楼2012-04-05 22:20:05
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2012-01-09 12:29
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2012-01-09 12:30
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2012-01-09 17:49
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jttto5楼
2012-01-09 18:05
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jttto6楼
2012-01-09 18:05
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jttto7楼
2012-01-09 18:05
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nanost8楼
2012-01-09 18:42
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yuan9999楼
2012-01-09 19:24
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jovi10楼
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wangpinger11楼
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leonwoo12楼
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fliboy13楼
2012-01-10 06:18
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fliboy14楼
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