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leehb870605银虫 (小有名气)
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VASP+SOC后的能带计算
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小弟刚刚编译好了一个带SOC的VASP，为了看看结果如何，想仿照文献计算一下Bi2Se3的能带结构，大概过程如下（略过结构弛豫）： 参照说明书上的做法 1、无soc，线性计算。得到WAVECAR, CHG, CHGCAR 2、非线性计算，加入SOC， 如果再更改KPOINTS，像以往的能带计算一样，就会有错误。 所以想求教各位，对于这样的体系，怎样求得加入SOC后的能带结构。 |
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WDD880227(金币+2): 感谢交流~~~有帮助~~ 2011-12-27 13:47:24
leehb870605(金币+50): ★有帮助 还是有问题，希望您多指教，Thank you all the same 2011-12-31 10:44:54
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leehb870605(金币+50): ★有帮助 还是有问题，希望您多指教，Thank you all the same 2011-12-31 10:44:54
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我在计算时，只在计算能带时加入了SOC的关键字做非共线计算 1.常规DFT优化 2.共线SCF，输出CHGCAR 3.读取上一步电荷密度，指定K点路径，非共线计算 注：SCF时就想考虑SOC，可以读取上一步波函数，并把上一步的IBZKPT拷贝成KPOINTS，以保持k点一致 |
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2楼2011-12-27 12:25:17
leehb870605
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4楼2011-12-27 15:43:23
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