应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 交流探讨 » 介电损耗
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
101/1返回列表
查看: 3151  |  回复: 9
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

lihailong7822

银虫 (小有名气)

[求助] 介电损耗

我是做介电陶瓷的，为什么介电损耗随着温度的增加开始比较大，到居里点以后降低，但是到高温时有急剧增加了呢
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

科研、投稿中可能遇到的小问题 铁电材料 科研经典 科研工具&资料

» 猜你喜欢
1楼 2011-12-24 19:18:32
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

chinaworm

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-25 08:31:01
高温下是因为空间电荷极化导致的
低温下是不是也有相变？
如果有相变也会导致介电损耗大
赞一下(1人) 回复此楼
Tomorrow is tomorrow
2楼2011-12-24 21:13:38
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

fupeng9806

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-25 08:31:08
lihailong7822(金币+1): ★有帮助 2011-12-25 11:43:20
Td之前是由于相变（一般认为是铁电相向反铁电相转变）的原因，所以损耗上升，Td到Tm之间下降是由于去极化后晶体缺陷的减少使得损耗降低，但再生高温度，高温时，使得电导率逐渐增加，成为影响损耗的主要因素，导致损耗迅速上升。
赞一下(3人) 回复此楼
3楼2011-12-25 00:15:15
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

091820053

禁虫 (知名作家)
★
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-26 08:28:30
本帖内容被屏蔽
4楼2011-12-26 08:27:04
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ipip1558

铁杆木虫 (著名写手)
★
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-27 08:29:14
弛豫损耗和漏导损耗吧
赞一下(1人) 回复此楼
5楼2011-12-26 18:39:12
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

peixiyang

木虫 (正式写手)
★ ★ ★
huangzx1314(金币+3): 非常不错，感谢应助~~ 2011-12-26 20:51:23
损耗的温谱要结合介电常数温谱进行分析
如果LZ可以确定第一个介电异常峰对应温度为居里温度，而且能排除材料是反铁电体的话，那么可以这么分析：
（1）损耗峰对应温度附近，介电常数温谱会出现异常峰；
（2）可以确定Tc的话，Tc附近会发生铁电-顺电相变（升温段），一般顺电相的介电常数和损耗都比铁电相低很多，这个可以用极化率解释，如楼上同学所述，指出一点极化率应该考虑温度和电场的矛盾作用，以BaTiO3为例，当TTc时，温度的作用占主导，离子的热运动加剧，导致Ti4+的偏离在一定时间内随机分布，从而强耦合效应消失，介电常数和损耗下降，这就是介电异常峰的来源。
（3）T>>Tc温度段，高温段会出现热激活的空间电荷极化（很多时候以表现出弛豫现象，由于空间电荷极化响应较慢），这是由于材料中存在空间电荷，比如氧空位或者A-位离子空位，这种离子或者电子载流子需要经过热激活或者高压激活，所以在低温段不表现作用；
（4）可以验证高温段的异常为何种，如何做？可以将材料进行不同的热处理，分为氧化气氛和还原气氛。如果选择前者，结果是异常峰消失，则可以判断为氧空位引起的弛豫；
LZ提到的这种现象在很多介电陶瓷或者单晶中都存在，尤其对于Ti系陶瓷材料，文献中分析也很多，理论相对成熟
欢迎大家补充，讨论
赞一下(4人) 回复此楼
6楼2011-12-26 19:54:58
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

温暖的阳光

金虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by peixiyang at 2011-12-26 19:54:58:
损耗的温谱要结合介电常数温谱进行分析
如果LZ可以确定第一个介电异常峰对应温度为居里温度，而且能排除材料是反铁电体的话，那么可以这么分析：
（1）损耗峰对应温度附近，介电常数温谱会出现异常峰；
（2）可以

你好，我是做压电陶瓷，在文献中想分析一下介电损耗的变化，但是看过的文献不多，有关于损耗的，但没有看到有解释的，看到这个帖子，觉得第（2）条说的很有道理，能不能介绍一两篇这样的文献啊？谢谢了。
赞一下 回复此楼
7楼2012-05-22 16:51:35
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

peixiyang

木虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by peixiyang at 2011-12-26 19:54:58:
损耗的温谱要结合介电常数温谱进行分析
如果LZ可以确定第一个介电异常峰对应温度为居里温度，而且能排除材料是反铁电体的话，那么可以这么分析：
（1）损耗峰对应温度附近，介电常数温谱会出现异常峰；
（2）可以

介电损耗的影响因素很多，包括内部损耗和外部损耗
内部损耗就是晶格运动，外部损耗包括气孔，第二相等多种因素（也就是不同的极化机制）
如果要用内部损耗解释，需要排除其他外部因素的影响
至于文献，手头也不多，没整理过
建议你看看，西安交通大学，姚熹院士编著的《电介质物理》
里面有介电性能在外电场和温度下的变化趋势和解释
希望对你有用
祝好！
赞一下 回复此楼
8楼2012-05-23 10:07:07
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

peixiyang

木虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by 温暖的阳光 at 2012-05-22 16:51:35:
你好，我是做压电陶瓷，在文献中想分析一下介电损耗的变化，但是看过的文献不多，有关于损耗的，但没有看到有解释的，看到这个帖子，觉得第（2）条说的很有道理，能不能介绍一两篇这样的文献啊？谢谢了。

介电损耗的影响因素很多，包括内部损耗和外部损耗
内部损耗就是晶格运动，外部损耗包括气孔，第二相等多种因素（也就是不同的极化机制）
如果要用内部损耗解释，需要排除其他外部因素的影响
至于文献，手头也不多，没整理过
建议你看看，西安交通大学，姚熹院士编著的《电介质物理》
里面有介电性能在外电场和温度下的变化趋势和解释
希望对你有用
祝好！
赞一下 回复此楼
9楼2012-05-23 10:08:35
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

温暖的阳光

金虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by peixiyang at 2012-05-23 10:08:35:
介电损耗的影响因素很多，包括内部损耗和外部损耗
内部损耗就是晶格运动，外部损耗包括气孔，第二相等多种因素（也就是不同的极化机制）
如果要用内部损耗解释，需要排除其他外部因素的影响
至于文献，手头也不

非常感谢回复
回复此楼
10楼2012-05-23 14:39:45
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 lihailong7822 的主题更新
101/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 材料334求调剂 +17 Eecho# 2026-04-03 17/850 2026-04-05 23:30 by 来看流星雨10
[考研] 301求调剂 +5 细胞相关蛋白 2026-04-02 9/450 2026-04-05 20:14 by lys0704
[考研] 数一英一274机械调剂 +5 星陨流霞 2026-04-04 6/300 2026-04-05 11:38 by arrow8852
[考研] 0703总分331求调剂 +10 ZY-05 2026-04-04 13/650 2026-04-05 11:03 by xiayan13521
[考研] 一志愿北京2，材料与化工308求调剂 +10 熊二想上岸 2026-04-04 10/500 2026-04-05 05:20 by houyaoxu
[考研] 311分 22408 求调剂 +3 bing_bot 2026-04-03 3/150 2026-04-05 00:43 by chongya
[考研] 材料调剂 +18 一样YWY 2026-04-02 19/950 2026-04-04 22:14 by hemengdong
[考研] 085600材料与化工调剂 +26 kikiki7 2026-03-30 27/1350 2026-04-04 09:18 by qlm5820
[考研] 311求调剂 +11 勇敢的小吴 2026-04-02 11/550 2026-04-03 21:46 by qlm5820
[考研] 抱歉 +5 田洪有 2026-03-30 5/250 2026-04-03 10:24 by linyelide
[考研] 273求调剂 +20 李芷新1 2026-03-31 20/1000 2026-04-03 09:58 by linyelide
[考研] 求调剂22408 288分 +5 new382 2026-04-02 5/250 2026-04-03 09:13 by 醉在风里
[考研] 一志愿北京科技材料科学与工程288分，求调剂 +14 是辰啊 2026-04-02 14/700 2026-04-02 21:10 by dongzh2009
[考博] 材料工程专业硕士申博 +3 麟正宇 2026-03-30 3/150 2026-04-02 15:04 by greychen00
[考研] 286分调剂 +20 Faune 2026-03-30 22/1100 2026-04-02 13:24 by clyblh
[考研] 314求调剂 +11 1xiaojun23 2026-03-31 12/600 2026-04-02 12:31 by 1xiaojun23
[考研] 266求调剂 +4 学员97LZgn 2026-04-02 4/200 2026-04-02 09:52 by yulian1987
[考研] 279求调剂 +7 莫xiao 2026-04-01 7/350 2026-04-01 22:05 by 客尔美德
[考研] 350求调剂 +7 阿佳～ 2026-03-31 7/350 2026-04-01 16:12 by yanflower7133
[考研] 370求调剂 +3 080700调剂 2026-03-30 3/150 2026-03-31 01:09 by A_Zhe
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭