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lihailong7822

银虫 (小有名气)

[求助] 介电损耗

我是做介电陶瓷的,为什么介电损耗随着温度的增加开始比较大,到居里点以后降低,但是到高温时有急剧增加了呢
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chinaworm

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-25 08:31:01
高温下是因为空间电荷极化导致的
低温下是不是也有相变?
如果有相变也会导致介电损耗大
Tomorrow is tomorrow
2楼2011-12-24 21:13:38
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fupeng9806

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-25 08:31:08
lihailong7822(金币+1): 有帮助 2011-12-25 11:43:20
Td之前是由于相变(一般认为是铁电相向反铁电相转变)的原因,所以损耗上升,Td到Tm之间下降是由于去极化后晶体缺陷的减少使得损耗降低,但再生高温度,高温时,使得电导率逐渐增加,成为影响损耗的主要因素,导致损耗迅速上升。
3楼2011-12-25 00:15:15
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091820053

禁虫 (知名作家)


Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-26 08:28:30
本帖内容被屏蔽

4楼2011-12-26 08:27:04
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ipip1558

铁杆木虫 (著名写手)


Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-12-27 08:29:14
弛豫损耗和漏导损耗吧
5楼2011-12-26 18:39:12
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peixiyang

金虫 (正式写手)

★ ★ ★
huangzx1314(金币+3): 非常不错,感谢应助~~ 2011-12-26 20:51:23
损耗的温谱要结合介电常数温谱进行分析
如果LZ可以确定第一个介电异常峰对应温度为居里温度,而且能排除材料是反铁电体的话,那么可以这么分析:
(1)损耗峰对应温度附近,介电常数温谱会出现异常峰;
(2)可以确定Tc的话,Tc附近会发生铁电-顺电相变(升温段),一般顺电相的介电常数和损耗都比铁电相低很多,这个可以用极化率解释,如楼上同学所述,指出一点极化率应该考虑温度和电场的矛盾作用,以BaTiO3为例,当TTc时,温度的作用占主导,离子的热运动加剧,导致Ti4+的偏离在一定时间内随机分布,从而强耦合效应消失,介电常数和损耗下降,这就是介电异常峰的来源。
(3)T>>Tc温度段,高温段会出现热激活的空间电荷极化(很多时候以表现出弛豫现象,由于空间电荷极化响应较慢),这是由于材料中存在空间电荷,比如氧空位或者A-位离子空位,这种离子或者电子载流子需要经过热激活或者高压激活,所以在低温段不表现作用;
(4)可以验证高温段的异常为何种,如何做?可以将材料进行不同的热处理,分为氧化气氛和还原气氛。如果选择前者,结果是异常峰消失,则可以判断为氧空位引起的弛豫;
LZ提到的这种现象在很多介电陶瓷或者单晶中都存在,尤其对于Ti系陶瓷材料,文献中分析也很多,理论相对成熟
欢迎大家补充,讨论
6楼2011-12-26 19:54:58
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温暖的阳光

金虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by peixiyang at 2011-12-26 19:54:58:
损耗的温谱要结合介电常数温谱进行分析
如果LZ可以确定第一个介电异常峰对应温度为居里温度,而且能排除材料是反铁电体的话,那么可以这么分析:
(1)损耗峰对应温度附近,介电常数温谱会出现异常峰;
(2)可以

你好,我是做压电陶瓷,在文献中想分析一下介电损耗的变化,但是看过的文献不多,有关于损耗的,但没有看到有解释的,看到这个帖子,觉得第(2)条说的很有道理,能不能介绍一两篇这样的文献啊?谢谢了。
7楼2012-05-22 16:51:35
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peixiyang

金虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by peixiyang at 2011-12-26 19:54:58:
损耗的温谱要结合介电常数温谱进行分析
如果LZ可以确定第一个介电异常峰对应温度为居里温度,而且能排除材料是反铁电体的话,那么可以这么分析:
(1)损耗峰对应温度附近,介电常数温谱会出现异常峰;
(2)可以

介电损耗的影响因素很多,包括内部损耗和外部损耗
内部损耗就是晶格运动,外部损耗包括气孔,第二相等多种因素(也就是不同的极化机制)
如果要用内部损耗解释,需要排除其他外部因素的影响
至于文献,手头也不多,没整理过
建议你看看,西安交通大学,姚熹院士编著的《电介质物理》
里面有介电性能在外电场和温度下的变化趋势和解释
希望对你有用
祝好!
8楼2012-05-23 10:07:07
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peixiyang

金虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 温暖的阳光 at 2012-05-22 16:51:35:
你好,我是做压电陶瓷,在文献中想分析一下介电损耗的变化,但是看过的文献不多,有关于损耗的,但没有看到有解释的,看到这个帖子,觉得第(2)条说的很有道理,能不能介绍一两篇这样的文献啊?谢谢了。

介电损耗的影响因素很多,包括内部损耗和外部损耗
内部损耗就是晶格运动,外部损耗包括气孔,第二相等多种因素(也就是不同的极化机制)
如果要用内部损耗解释,需要排除其他外部因素的影响
至于文献,手头也不多,没整理过
建议你看看,西安交通大学,姚熹院士编著的《电介质物理》
里面有介电性能在外电场和温度下的变化趋势和解释
希望对你有用
祝好!
9楼2012-05-23 10:08:35
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温暖的阳光

金虫 (正式写手)

引用回帖:
9楼: Originally posted by peixiyang at 2012-05-23 10:08:35:
介电损耗的影响因素很多,包括内部损耗和外部损耗
内部损耗就是晶格运动,外部损耗包括气孔,第二相等多种因素(也就是不同的极化机制)
如果要用内部损耗解释,需要排除其他外部因素的影响
至于文献,手头也不

非常感谢回复
10楼2012-05-23 14:39:45
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