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sangyungan银虫 (小有名气)
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Al与氮化硅接触势垒是多少，相关方面的知识
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qfw_68
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3楼2011-12-23 21:49:16
qfw_68
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【答案】应助回帖
sangyungan(金币+2, 博学EPI+1): ★有帮助 2011-12-24 19:35:49
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二者理想的接触势垒为0.49V 仅供参考，请楼主自行验算： α -Si3N4的亲和能（导带Ec到真空能级E0的能量差）为2.1eV ....However, experimental studies of Si3N4 showed that electron affinity in these films is as large as 2.1 eV.... https://apl.aip.org/resource/1/a ... _s1?isAuthorized=no ...α -氮化硅是一种宽禁带半导体材料，禁带宽度达5.3eV .... https://www.chvacuum.com/application/film/121681.html 由以上两条可知，α -Si3N4的费米能级位于E0下方4.74eV（即：2.1+5.3/2 eV) 而铝的功函数为4.25eV（即铝的费米能级位于真空能级E0下方4.25eV） 根据上述结果，可知铝和α -Si3N4的费米能级相差0.49eV，则其接触势垒为0.49V 实际的氮化硅质量不同，其费米能级位置也略有差异，而铝和氮化硅的界面态影响也会有，所以实际的接触势垒可能与0.49V有偏差。 |
2楼2011-12-23 21:45:06