24小时热门版块排行榜

返回列表

leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

应助: 144 (高中生)
贵宾: 0.055
金币: 7602.7
散金: 627
红花: 35
沙发: 3
帖子: 5347
在线: 1063小时
虫号: 490263
注册: 2008-01-03
性别: GG
专业: 等离子体物理
管辖: 物理

直接镀上去应该没问题，不过如果要退火或者做TDS等需要加热的分析，估计就会有问题。一般做研究都用单晶硅做基底，尽量减少膜中的杂质和缺陷，便于解释实验结果。我们在单晶硅上先镀铜，再镀钨，复合膜在后续退火过程中1000K左右就会破裂，这也让我们很郁闷！

多交流！

赞一下

回复此楼

趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！

11楼2011-12-20 17:01:31

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

邵欣

新虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 413.5
散金: 50
帖子: 52
在线: 13.1小时
虫号: 973806
注册: 2010-03-17
性别: MM
专业: 核技术及其应用

引用回帖:

楼: Originally posted by leongoall at 2011-12-20 14:40:37:
哦，原来是做第一壁材料的啊，呵呵

请问是国内哪个单位的啊？铍貌似有毒哦，难道是在铍上面镀钨？我见过用CVD镀钨的，原料好像是用WF6。但是要跟铍稳定结合似乎不大可能，两者的热膨胀系数相差很大

CVD的方法有很多种，我不确定选择哪个更好，但是PVD方法中的离子镀应该比较适合在金属基底上镀纯金属的薄膜吧

赞一下

回复此楼

12楼2011-12-21 09:39:27

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖